[發明專利]雙鑲嵌結構的制造方法

有效

• 申請號: 200910198556.5
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN102054753A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 馬瑩;車永強;郭偉凱
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種雙鑲嵌結構的制造方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次形成覆蓋層、介質層、介質抗反射層以及隔離層；

在所述隔離層上形成具有通孔圖形的抗蝕劑層，并以所述具有通孔圖形的抗蝕劑層為掩膜，刻蝕所述隔離層、介質抗反射層以及介質層形成通孔，所述通孔暴露出所述覆蓋層；

去除所述具有通孔圖形的抗蝕劑層；

在所述通孔內以及所述隔離層上形成填充層；

去除所述隔離層上的填充層，并去除所述通孔內的部分填充層；

在所述隔離層上形成具有溝槽圖形的抗蝕劑層，并以所述具有溝槽圖形的抗蝕劑層為掩膜，刻蝕所述隔離層、介質抗反射層以及部分介質層形成溝槽，所述溝槽的位置與所述通孔的位置對應并與所述通孔連通；

去除所述具有溝槽圖形的抗蝕劑層；

去除所述通孔內剩余的填充層，并去除所述通孔內的覆蓋層，直至暴露出所述半導體襯底；

在所述通孔和所述溝槽內形成金屬層，以形成雙鑲嵌結構。

2.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述介質抗反射層包括第一介質抗反射層以及形成于所述第一介質抗反射層上的第二介質抗反射層。

3.如權利要求2所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第一介質抗反射層是氮氧化硅層。

4.如權利要求3所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第一介質抗反射層的厚度為300～

5.如權利要求4所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第一介質抗反射層的折射率為1.8～1.9。

6.如權利要求5所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第一介質抗反射層的摩爾吸收系數為1.2～1.4。

7.如權利要求6所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第二介質抗反射層是氮氧化硅層。

8.如權利要求7所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第二介質抗反射層的厚度為200～

9.如權利要求8所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第二介質抗反射層的折射率為1.9～2.0。

10.如權利要求9所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第二介質抗反射層的摩爾吸收系數為0.3～0.5。

11.如權利要求2或10所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述隔離層是二氧化硅層。

12.如權利要求11所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述隔離層的厚度為30～

13.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述介質層包括依次形成的第一介質層、刻蝕停止層以及第二介質層。

14.如權利要求13所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第一介質層是二氧化硅層。

15.如權利要求13所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述刻蝕停止層是氮化硅層。

16.如權利要求13所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述第二介質層是二氧化硅層。

17.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述覆蓋層是氮化硅層。

18.如權利要求1所述的雙鑲嵌結構的制造方法，其特征在于，所述填充層是由液態的有機聚合物組成的底部抗反射涂層。