[發明專利]靜電放電保護裝置

有效

• 申請號: 200910198463.2
• 申請日: 2009-11-04
• 公開（公告）號: CN102055179A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 單毅
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種靜電放電保護裝置，其特征在于，包括：連接第一電源線、第二電源線和接地線的靜電放電電路及提供靜電放電電路偏置電壓的偏置控制電路；所述靜電放電電路至少包括呈堆疊結構的第一及第二PMOS管；所述第一PMOS管的源極接于第一電源線，柵極接于所述偏置控制電路，漏極接于第二PMOS管的源極；所述第二PMOS管的漏極接地，柵極經由偏置控制電路與第二電源線相連，所述第二PMOS管的柵極電壓使得第一及第二PMOS管在芯片正常工作時均處于工作電壓容限內；所述偏置控制電路在第一電源線面臨靜電放電脈沖時開啟所述第一、第二PMOS管。

2.如權利要求1所述的靜電放電保護裝置，其特征在于，所述偏置控制電路包括：

第一電阻和第一電容，第一電阻的第一端接于第一電源線，第二端接于第一電容的第一端；

第三電阻，其第一端接于第一電容的第二端及所述第二PMOS管的柵極，第二端接于第二電源線；

第一反相器，其輸入接于第一電阻的第二端，所述第一反相器中的NMOS管的源極接于第三電阻的第一端；

第二反相器，其輸入接于第一反相器的輸出，輸出接于所述第一PMOS管的柵極；

第二電阻和第二電容，第二電阻的第一端接于第二反相器的輸入，第二端接于第二電容的第一端，第二電容的第二端接地；

第三反相器，其輸入接于第二電阻的第二端，所述第三反相器中的PMOS管的源極接于所述第二反相器的輸入，所述第三反相器中的NMOS管的源極接地；

對地NMOS管，其柵極接于第三反相器的輸出，漏極接于第二反相器中的NMOS管的源極，源極接地，

以及，所述第一PMOS管的柵極還經由第三電容及第四電容接地。

3.如權利要求2所述的靜電放電保護裝置，其特征在于，所述第二電源線在第一電源線面臨靜電放電脈沖時空置或接地。

4.如權利要求2所述的靜電放電保護裝置，其特征在于，所述第一電源線在芯片正常工作時的電壓為3.6V，所述第二電源線在芯片正常工作時的電壓為1.8V。

5.如權利要求1所述的靜電放電保護裝置，其特征在于，所述偏置控制電路包括：

第一電容和第一電阻，第一電容的第一端接于第一電源線，第二端接于第一電阻的第一端；

第三電阻，其第一端接于第一電阻的第二端及所述第二PMOS管的柵極，第二端接于第二電源線；

第一反相器，其輸入接于第一電容的第二端，所述第一反相器中的NMOS管的源極接于第三電阻的第一端；

第二反相器，其輸入接于第一反相器的輸出，所述第二反相器中的NMOS管的源極接于第三電阻的第一端；

第三反相器，其輸入接于第二反相器的輸出，輸出接于所述第一PMOS管的柵極；

第二電容和第二電阻，第二電容的第一端接于第三反相器的輸入，第二端接于第二電阻的第一端，第二電阻的第二端接地；

第四反相器，其輸入接于第二電容的第二端，所述第四反相器中的PMOS管的源極接于所述第三反相器的輸入，所述第三反相器中的NMOS管的源極接地；

第五反相器，其輸入接于第四反相器的輸出，所述第五反相器中的PMOS管的源極接于所述第三反相器的輸入，所述第五反相器中的NMOS管的源極接地；

對地NMOS管，其柵極接于第五反相器的輸出，漏極接于第三反相器中的NMOS管的源極，源極接地，

以及，所述第一PMOS管的柵極還經由第三電容及第四電容接地。

6.如權利要求5所述的靜電放電保護裝置，其特征在于，所述第二電源線在第一電源線面臨靜電放電脈沖時空置或接地。

7.如權利要求5所述的靜電放電保護裝置，其特征在于，所述第一電源線在芯片正常工作時的電壓為3.6V，所述第二電源線在芯片正常工作時的電壓為1.8V。