[發(fā)明專利]高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910198287.2 | 申請日: | 2009-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN101698610A | 公開(公告)日: | 2010-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉茜;顏強(qiáng);王明輝 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號: | C04B35/626 | 分類號: | C04B35/626;C04B35/599 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 許亦琳;余明偉 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高純 sialon 陶瓷 制備 方法 | ||
1.一種高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)以有序介孔二氧化硅為主原料,以可溶性無機(jī)鋁鹽為氧化鋁前驅(qū)物,以有機(jī)小分子化合物為碳源,通過納米澆注制得介孔碳/氧化硅/氧化鋁復(fù)合物;
(2)將所述介孔碳/氧化硅/氧化鋁復(fù)合物進(jìn)行碳熱還原氮化制得試樣;
(3)將所述試樣在空氣中煅燒除去殘留碳,冷卻后得產(chǎn)物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,步驟(1)包括如下步驟:
a??將碳源和可溶性無機(jī)鋁鹽溶解于水,滴加硫酸作為催化劑,形成溶液A,再向溶液A加入有序介孔二氧化硅混合均勻,所得糊狀物在80~100℃下干燥6~8h,然后升溫到150~200℃,熱處理5~10h,得到預(yù)碳化產(chǎn)物1;
b??繼續(xù)往預(yù)碳化產(chǎn)物1中加入碳源、硫酸和水的混合溶液,重復(fù)步驟a,得到預(yù)碳化產(chǎn)物2;
c??預(yù)碳化產(chǎn)物2在氬氣氣氛中,500~1000℃下煅燒4~8h,得到介孔碳/氧化硅/氧化鋁復(fù)合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,步驟a中碳源用量與步驟b中碳源用量的摩爾比為1∶(0.5~1.0)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,所述試樣的制備包括:將步驟(1)中得到的介孔碳/氧化硅/氧化鋁復(fù)合物放入管式爐中,通入流量為0.6~3.0L/min的氮?dú)饬?,?.5~15℃/min的升溫速率升溫至1300~1500℃,保溫4~16h,然后冷卻至600℃以下,關(guān)閉氮?dú)猓^續(xù)冷卻至100℃以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,煅燒溫度為600~800℃,煅燒時(shí)間為3~8h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述碳源選自蔗糖或葡萄糖。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述有序介孔二氧化硅為SBA-15。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述可溶性無機(jī)鋁鹽為無水三氯化鋁或硝酸鋁。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純β-Sialon陶瓷粉體的制備方法,其特征在于,所述有序介孔二氧化硅中所含Si與可溶性無機(jī)鋁鹽中所含Al的摩爾比為1∶(0.2~2.0);所述有序介孔二氧化硅中所含Si與碳源中所含C的摩爾比為1∶(4.0~12.0)。
10.一種β-Sialon陶瓷粉體,由權(quán)利要求1~9中任一權(quán)利要求所述的制備方法制得,其特征在于,所述β-Sialon陶瓷粉體顆粒形貌主要為長棒狀。
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