[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910197823.7 | 申請日： | 2009-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN102054777A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王禎貞 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于包括如下步驟：
提供同時具有NMOS晶體管和PMOS晶體管的半導體基底；
在半導體基底上沉積拉應力層；
在拉應力層上沉積復合硬掩膜層，該復合硬掩膜由至少兩層硬掩膜層組合而成，且硬掩膜層的沉積速率自半導體基底表面逐層遞增；
選擇性去除PMOS晶體管上的復合硬掩膜層和拉應力層、暴露PMOS晶體管，保留NMOS晶體管上的復合硬掩膜層和拉應力層；
在復合硬掩膜層和暴露的PMOS晶體管上沉積壓應力層；
選擇性去除NMOS晶體管上的壓應力層、部分復合硬掩膜層，保留PMOS晶體管上的壓應力層；
在復合硬掩膜層和壓應力層上沉積金屬前介質層以及進行互連結構制作。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：所述復合硬掩膜層由2～4層硬掩膜層組合而成。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：各層硬掩膜層的材料相同。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于：硬掩膜層的材料為SiO2。
5.根據(jù)權利要求1或者4所述的方法，其特征在于：所述復合硬掩膜層的厚度為300～
6.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于：所述復合硬掩膜層由第一層硬掩膜層、第二層硬掩膜層、第三層硬掩膜層組合而成。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于：所述第二層硬掩膜層沉積之后，填充滿相鄰晶體管的柵極之間的溝槽。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：所述拉應力層的材料為氮化硅。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于：所述壓應力層的材料為氮化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
