[發明專利]崩應測試方法

無效

• 申請號: 200910197683.3
• 申請日: 2009-10-26
• 公開（公告）號: CN102043119A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 張啟華;簡維廷;謝君強;丁育林
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種崩應測試方法，其特征在于，包括步驟：

將待測試的芯片安裝在老化測試板上，芯片管腳與老化測試板電性連通；

將安裝有芯片的老化測試板置于老化爐內，并使芯片的電源管腳與電源連接；

開啟老化爐對芯片加熱，開啟電源為芯片提供老化電壓和測試電壓，老化電壓即測試電壓，對芯片的電源管腳上的老化電壓和在老化電壓下的電流進行測量。

2.如權利要求1所述的崩應測試方法，其特征在于，老化測試板上安裝有至少兩個所述待測試的芯片。

3.如權利要求2所述的崩應測試方法，其特征在于，對芯片的電源管腳上的電壓和電流進行測量的步驟包括：通過老化測試板使每個芯片電源管腳上至少連接一個量測計，量測計對不同的所述待測試的芯片的電源管腳上的電流進行測量。

4.如權利要求3所述的崩應測試方法，其特征在于，在特定的時間間隔對同一芯片電源管腳進行重復測量。

5.如權利要求2所述的崩應測試方法，其特征在于，對芯片的電源管腳上的電壓和電流進行測量的步驟包括：通過老化測試板使至少兩個芯片的電源管腳共同連接到一個量測計上，量測計依次對不同的所述待測試的芯片的電源管腳上的電流進行測量。

6.如權利要求5所述的崩應測試方法，其特征在于，對芯片的電源管腳上的電壓和電流進行測量的步驟包括：通過老化測試板使所有芯片的電源管腳共同連接到一個量測計上，量測計依次對不同的所述待測試的芯片的電源管腳上的電流進行測量。

7.如權利要求6所述的崩應測試方法，其特征在于，在特定的時間間隔，更換一次測量的芯片，在將所有芯片測量完一次之后再循環進行測量。

8.如權利要求7所述的崩應測試方法，其特征在于，所述所有芯片的電源管腳和量測計之間通過控制單元相連，所述控制單元使得在同一時間只有一個芯片和量測計電性導通。

9.如權利要求7所述的崩應測試方法，其特征在于，所述控制單元包括開關電路。

10.如權利要求1所述的崩應測試方法，其特征在于，所述量測計為安培表。