[發明專利]崩應測試方法

無效

• 申請號: 200910197683.3
• 申請日: 2009-10-26
• 公開（公告）號: CN102043119A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 張啟華;簡維廷;謝君強;丁育林
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種崩應測試方法。

背景技術

在集成電路制造完成后，還需經過產品可靠性測試來判斷其性能的好壞，而產品老化壽命實驗是產品可靠性測試非常重要的必須經過的一個環節。一般常見的壽命實驗項目有崩應(Burn-in)測試，也叫做老化測試。通常老化測試都是先對芯片進行高溫和高壓處理，加速其老化，迫使故障在更短時間內出現。

崩應測試包括靜態崩應測試、動態崩應測試和監測崩應測試等。崩應測試的過程包括：首先將芯片置于老化測試板上對芯片施以高溫和高壓進行老化，例如將芯片及其所在的老化測試板置于老化爐中進行加熱，例如加熱到150℃，維持一天的高溫，同時施以高壓。然后在芯片老化的一些節點，例如老化24小時、48小時或者168小時、500小時、1000小時的時候，將芯片及老化測試板從老化爐取出，放入測試機臺中進行直流參數、交流參數和功能參數的測量。靜態崩應測試和動態崩應測試中老化過程中是不能對芯片進行直流參數、交流參數和功能參數的測量的，只能將芯片取出放入測試機臺進行測試，監控崩應測試，雖然通過復雜的電路設計及編程可以在崩應的同時進行簡單的功能測量，但是也無法實現直流參數和交流參數的測量。

例如申請號為“US5489538”的美國專利文獻中公開了一種崩應測試的方法，其中靜態崩應測試利用了先對芯片進行加壓和加熱進行崩應，然后測試其直流特性，動態崩應測試利用了先對芯片進行加壓和加熱進行崩應，然后測試其功能特性。因此其靜態崩應測試和動態崩應測試在老化的同時都沒有辦法實現芯片直流參數的量測。

另外專利號為“US6215324B1”的美國專利文獻中提供了一種動態崩應測試的裝置，但該崩應測試裝置的的老化基臺只負責進行老化或者簡單的功能監測，電路設計復雜、編程復雜，而且還不能實現直流參數和交流參數的測量。

現有的崩應測試存在的問題是不能在老化的同時實現直流參數和交流參數的測試，因此測試過程復雜，而且只能實現對一些老化節點的測試，而不能對老化過程對直流參數和交流參數進行實時的測試。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種可以在老化的同時對直流參數進行實時測量的崩應測試方法。

為了解決上述問題，本發明提供了一種崩應測試方法，包括步驟：將待測試的芯片安裝在老化測試板上，芯片管腳與老化測試板電性連通；將安裝有芯片的老化測試板置于老化爐內，并使芯片的電源管腳與電源連接；開啟老化爐對芯片加熱，開啟電源為芯片提供老化電壓和測試電壓，對芯片的電源管腳上的電壓和電流進行測量。

可選的，老化測試板上安裝有至少兩個所述待測試的芯片。

可選的，對芯片的電源管腳上的電壓和電流進行測量的步驟包括：通過老化測試板使每個芯片電源管腳上至少連接一個量測計，量測計對不同的所述待測試的芯片的電源管腳上的電流進行測量。

可選的，在特定的時間間隔對同一芯片電源管腳進行重復測量。

可選的，對芯片的電源管腳上的電壓和電流進行測量的步驟包括：通過老化測試板使至少兩個芯片的電源管腳共同連接到一個量測計上，量測計依次對不同的所述待測試的芯片的電源管腳上的電流進行測量。

可選的，對芯片的電源管腳上的電壓和電流進行測量的步驟包括：通過老化測試板使所有芯片的電源管腳共同連接到一個量測計上，量測計依次對不同的所述待測試的芯片的電源管腳上的電流進行測量。

可選的，在特定的時間間隔，更換一次測量的芯片，在將所有芯片測量完一次之后再循環進行測量。

可選的，所述所有芯片的電源管腳和量測計之間通過控制單元相連，所述控制單元使得在同一時間只有一個芯片和量測計電性導通。

可選的，所述控制單元包括開關電路。

可選的，所述量測計為安培表。

與現有技術相比，本發明主要具有以下優點：

本發明通過在崩應的同時對芯片的直流參數進行量測，從而實現了對崩應過程的實時監控，使得崩應測試的更加精確，并且簡化了崩應測試過程，降低了成本。

附圖說明

通過附圖中所示的本發明的優選實施例的更具體說明，本發明的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。

圖1為本發明的崩應測試方法的流程圖；

圖2至圖7為本發明的崩應測試方法的示意圖。

具體實施方式