[發明專利]共享存儲單元的分柵式閃存

無效

• 申請號: 200910197127.6
• 申請日: 2009-10-13
• 公開（公告）號: CN101692453A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發明（設計）人: 曹子貴
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423;G11C16/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，包括：

半導體襯底，其上具有間隔設置的源極區域和漏極區域；

溝道區，位于所述源極區域和漏極區域之間；

存儲單元，位于所述溝道區上方；

字線，位于所述存儲單元上方；

第一選擇柵和第二選擇柵，分別位于所述字線和存儲單元兩側，

其中，所述存儲單元包括第一存儲部分和第二存儲部分，所述第一存儲部分鄰近第一選擇柵，所述第二存儲部分鄰近第二選擇柵，所述存儲單元為氮化硅存儲單元。

2.根據權利要求1所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加第一存儲部分讀取電壓，實現第一存儲部分讀取。

3.根據權利要求2所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加的第一存儲部分讀取電壓分別為2.5V、2V、4V、0V和1V，實現第一存儲部分讀取。

4.根據權利要求1所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加第二存儲部分讀取電壓，實現第二存儲部分讀取。

5.根據權利要求4所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加的第二存儲部分讀取電壓分別為2.5V、4V、2V、1V和0V，實現第二存儲部分讀取。

6.根據權利要求1所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加第一存儲部分編程電壓，實現第一存儲部分編程。

7.根據權利要求6所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加的第一存儲部分編程電壓分別為8V、1.4V、5V、0V和4V，實現第一存儲部分編程。

8.根據權利要求1所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加第二存儲部分編程電壓，實現第二存儲部分編程。

9.根據權利要求8所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加的第二存儲部分編程電壓分別為8V、5V、1.4V、4V和0V，實現第二存儲部分編程。

10.根據權利要求1所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，分別對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加存存儲單元擦除電壓，實現第一存儲部分和第二存儲部分擦除。

11.根據權利要求10所述的共享存儲單元的分柵式閃存，其特征在于，對所述字線、所述第一選擇柵、所述第二選擇柵、所述源極區域和所述漏極區域施加的存存儲單元擦除電壓分別為-5V、F、F、F和F，實現第一存儲部分和第二存儲部分擦除。