[發(fā)明專利]金屬插塞的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910197110.0 | 申請日： | 2009-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN102044477A | 公開（公告）日： | 2011-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉盛;楊瑞鵬;聶佳相;何偉業(yè) | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 制作方法 | ||
1.一種金屬插塞的制作方法，其特征在于，包括：
提供已形成銅電路互連層的硅片，在銅電路互連層上形成介電層；
依序進(jìn)行光刻、蝕刻工藝形成設(shè)計所需的溝槽；
在介電層和溝槽上形成阻擋層和種子層；
在種子層上電鍍銅金屬層；
第一次退火；
第二次退火；
平坦化銅金屬層，形成金屬插塞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述電鍍銅金屬層采用的是硫酸銅溶液材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述退火的工藝參數(shù)為目標(biāo)溫度為100～250攝氏度，退火時間為20～300秒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述介電層采用氧化硅為材料，厚度為2500～3500埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述平坦化是指采用化學(xué)機(jī)械研磨去除部分銅金屬層、種子層和阻擋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬插塞的制作方法，其特征在于，所述阻擋層的材料采用氮化鉭、氮化鈦、鈦或鉭中的一種或者混合物。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
