[發明專利]確定實際制程中氟化玻璃介電常數值的方法有效
| 申請號： | 200910196807.6 | 申請日： | 2009-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN102034724A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01R27/26;G01N21/35 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 確定 實際 制程中 氟化 玻璃 介電常數 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種確定實際制程中氟化玻璃介電常數值的方法，該方法包括：
設置氟化玻璃FSG的介電常數值和所述FSG中F元素含量的對應關系，擬和出對應關系曲線；
測定實際制程中形成的FSG中F元素含量，根據擬和出的對應關系曲線確定FSG在具有該F元素含量時，FSG的介電常數值。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述設置FSG的介電常數值和所述FSG中F元素含量的對應關系，擬和出對應關系曲線為：
選擇不同F元素含量的FSG，獲得每種F元素含量的FSG，所對應的介電常數值，得到FSG的介電常數值和F元素含量之間的對應關系；
根據所述FSG的介電常數值和F元素含量之間的對應關系，得到所述FSG的介電常數值和F元素含量的擬和曲線。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述獲得每種F元素含量的FSG，所對應的介電常數值為：
采用光學測量的方法，在線inline測定控片晶圓上的FSG的F元素含量；
采用汞探針離線offline測定所述控片晶圓上的FSG的介電常數值。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述測定實際制程中形成的FSG中F元素含量為：采用光學測量的方法，在線測定實際制程中形成在控片晶圓上的FSG的F元素含量。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
