[發(fā)明專利]一種減小接觸孔關(guān)鍵尺寸的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910195810.6 | 申請(qǐng)日: | 2009-09-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102024748A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙林林;韓寶東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768;H01L23/52;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/11;H01L27/112;H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人: | 董巍;顧珊 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 減小 接觸 關(guān)鍵 尺寸 方法 | ||
1.一種用于形成接觸孔的半導(dǎo)體制造工藝方法,所述方法包括如下步驟:
在有源區(qū)上沉積一高應(yīng)力覆蓋層;
在所述高應(yīng)力覆蓋層上沉積第一介電層;
在所述第一介電層上沉積第二介電層;
在所述第二介電層上沉積一鈍化層;
在所述鈍化層上沉積一底部抗反射層;
依次刻蝕所述底部抗反射層、所述鈍化層、所述第二介電層、所述第一介電層和高應(yīng)力覆蓋層以蝕刻出一接觸孔,直到穿透所述高應(yīng)力覆蓋層露出所述有源區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝方法,其中所述蝕刻出一接觸孔的步驟中,所述第二介電層的蝕刻速率比所述第一介電層的蝕刻速率慢。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝方法,其中所述高應(yīng)力覆蓋層的材料為SiN,厚度大約為450埃。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝方法,其中所述第一介電層的材料為硅酸玻璃,厚度為1000至2500埃。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝方法,其中所述第二介電層的材料為正硅酸乙酯,厚度為1000至2500埃。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝方法,其中所述鈍化層的材料為二氧化硅,厚度大約為150埃。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝方法,其中所述刻蝕接觸孔的工藝為干法刻蝕。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝方法,其中所述接觸孔在與刻蝕方向垂直的方向上的寬度為0.09μm。
9.一種包含接觸孔的半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件包括:
在有源區(qū)上沉積的一高應(yīng)力覆蓋層;
在所述高應(yīng)力覆蓋層上沉積的第一介電層;
在所述第一介電層上沉積的第二介電層;
在所述第二介電層上沉積的一鈍化層;
在所述鈍化層上沉積的一底部抗反射層;
依次刻蝕所述底部抗反射層、所述鈍化層、所述第二介電層、所述第一介電層和高應(yīng)力覆蓋層而形成的一接觸孔,所述接觸孔穿透所述高應(yīng)力覆蓋層直到露出所述有源區(qū)。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件,其中所述蝕刻出一接觸孔的步驟中,所述第二介電層的蝕刻速率比所述第一介電層的蝕刻速率慢。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件,其中所述高應(yīng)力覆蓋層的材料為SiN,厚度大約為450埃。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件,其中所述第一介電層的材料為硅酸玻璃,厚度為1000至2500埃。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件,其中所述第二介電層的材料為正硅酸乙酯,厚度為1000至2500埃。
14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件,其中所述鈍化層的材料為二氧化硅,厚度大約為150埃。
15.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件,其中所述刻蝕接觸孔的工藝為干法刻蝕。
16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件,其中所述接觸孔在與刻蝕方向垂直的方向上的寬度為0.09μm。
17.一種包含通過如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的集成電路,其中所述集成電路選自隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、同步隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM和射頻電路。
18.一種包含通過如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備,其中所述電子設(shè)備個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





