[發明專利]晶圓可接受測試的實時監控方法無效
| 申請號: | 200910194620.2 | 申請日: | 2009-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN101996856A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發明(設計)人: | 孫新光;莫保章;倪曉昆 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 20120*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可接受 測試 實時 監控 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種電子測試方法,具體地說,涉及在半導體領域的晶圓可接受測試的實時監控方法。
背景技術
晶圓可接受測試(WAT:Wafer?Acceptence?Test),是晶圓(wafer)經過復雜工藝制造,最后在晶圓上形成一格格的裸晶(die)以后、在封裝之前進行的一種電性測試,比如晶圓上的每一塊芯片的電流、電壓或者漏電流等參數進行測試。進行WAT的測試系統通常由探針卡、晶圓固定裝置、晶圓圖像校準裝置以及測試機臺組成。
在傳統測試的過程中,由于受到晶圓圖像校準裝置的校準偏差、或者探針卡上的探針與晶圓的接觸不良、測試機臺周圍環境溫度或者濕度變化等的影響,測試的結果和數據并不完全準確,每當一批次的晶圓進行測試完畢后,需要對測試的數據進行分析,并調整測試系統,從而防止不良的芯片流入下一制造流程。
由于在進行測試的過程中,晶圓上的芯片用以與探針卡上的探針接觸的探點比較小而且排列緊密,在晶圓圖像校準裝置對晶圓進行圖像校準時容易發生校準偏差,以至于探針難以正確地接觸到對應芯片上的探點上,探針容易刮傷芯片或者晶圓,如果不及時發現,將導致整批芯片或者晶圓報廢。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種晶圓可接受測試的實時監控方法,提前探測到探針刮傷的芯片或者晶圓。
為解決以上技術問題,本發明提供的一種晶圓可接受測試的實時監控方法,將晶圓劃分為若干點,每個點有若干測試參數進行測試,其中部分參數為關鍵參數,包括步驟:
設定晶圓可接受測試的類型和判斷標準;
進行晶圓可接受測試;
對晶圓可接受測試得到的測試數據進行收集和整理;
根據所述類型和判斷標準進行判斷,對所述測試數據進行監控,如果判斷合格,則繼續測試,否則,暫停測試,轉入人工處理。
進一步的,所述類型包括:
類型A:設定任一點的關鍵參數不符合規格的數量;
類型B:設定晶圓里任一關鍵參數不符合規格的點的數量;
類型C:設定晶圓里任一關鍵參數不符合規格的點的比率;
類型D:設定晶圓里所有關鍵參數不符合規格的點的比率。
進一步的,所述人工處理包括:
退出測試程序,停機檢查;
關掉監控,繼續測試;
保持監控,繼續測試。
與現有技術相比,本發明提出的晶圓可接受測試的實時監控方法,隨時對每一塊晶圓上的芯片進行實時監控,從而可以及時發現探針卡的探針是否對準對應芯片上的探點上,提前探測到探針刮傷的芯片或者晶圓,從而避免后續整批待測的芯片受到刮傷,減少損失。
附圖說明
圖1為本發明實施例的晶圓可接受測試的實時監控方法測試流程圖。
具體實施方式
為使本發明的技術特征更明顯易懂,下面結合附圖與實施例,對本發明做進一步的描述。
本發明實施例的晶圓可接受測試的實時監控方法,將晶圓劃分為若干點(site),所述的點即為一個光罩版圖所能曝光的大小,根據產品的種類,每個點有若干測試參數進行測試,其中部分參數為關鍵參數,設定晶圓可接受測試的類型和判斷標準;然后進行晶圓可接受測試;再對晶圓可接受測試得到的測試數據進行收集和整理;根據所述類型和判斷標準進行判斷,對所述測試數據進行監控,如果判斷合格,則繼續測試,否則,暫停測試,轉入人工處理。
本實施例中所述的參數,對于不同的產品,有不同的參數定義,對每種產品,都有一份對應的規格文件,此文件中定義了每個參數的規格,也定義了每個參數是關鍵參數還是非關鍵參數。
請參閱圖1,圖1為本發明實施例的晶圓可接受測試的實時監控方法測試流程圖。
步驟S1:設定WAT測試的判斷類型和標準。
下面以測試一片晶圓為例來進行說明,設定晶圓測試5個點,每個點測試的參數有150個,其中有100個參數是關鍵參數。
本實施例中,所述晶圓可接受測試的類型包括四種:
類型A:設定任一點的關鍵參數不符合規格的數量,如果不符合規格的關鍵參數的數量大于設定的數量,則判斷該點不符合規格,比如設定為:TPA,0.9。所述的的TAP即為Type,其含義為:如果這100個關鍵參數里有超過90個參數不符合規格,則表明該點不符合規格。
類型B:設定一片晶圓里任一關鍵參數不符合規格的點的數量,如果一片晶圓里某個關鍵參數不符合規格的點超過設定的數量,則判斷該晶圓不符合規格。比如設定TPB,3。其含義為:如果某個關鍵參數不符合規格的點的數量超過3個,則表明該晶圓不符合規格。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





