[發明專利]減少光刻膠中毒現象的方法無效

申請號：	200910194578.4	申請日：	2009-08-25
公開（公告）號：	CN101995767A	公開（公告）日：	2011-03-30
發明（設計）人：	劉鳳梅;賀曉彬	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
主分類號：	G03F7/00	分類號：	G03F7/00;H01L21/00
代理公司：	北京德琦知識產權代理有限公司 11018	代理人：	王一斌;王琦
地址：	201203 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	減少光刻中毒現象方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體技術，尤其是指一種減少光刻膠中毒現象的方法。

背景技術

在半導體元器件的制造工藝中，通常需要通過光刻技術在晶片上形成相應的元器件或集成電路。圖1為現有技術中的光刻技術的示意圖。如圖1所示，在現有的半導體元器件的制作工藝中，一般將先在基底材料100上通過蝕刻技術蝕刻出所需的通孔(VIA)101，然后使用形成深紫外線吸收氧化(DUO，Deep?Ultra?Violet?Light?Absorbing?Oxide)材料對所蝕刻的通孔進行填充，從而形成一DUO層102。在現有技術中，在上述DUO層102上涂敷的光刻膠(PR，Photo?Resist)層104之前，需要對DUO層102進行相應的表面處理，即在DUO層102的的表面上用六甲基二硅胺(HMDS)氣體進行噴涂，形成一HMDS層103，用于增強所涂敷的PR層104在上述DUO層102上的附著力，以避免在進行后續光刻工藝時PR層發生倒塌的現象。在噴涂上述HMDS層后，再在該HMDS層上涂敷PR層，然后采用合適波長的光通過掩膜版對PR層104進行曝光、顯影以及蝕刻，從而將掩膜版上的圖形轉移至晶片上。

但是，在上述的技術方案中，當完成VIA的蝕刻過程后，在所形成的VIA的底部一般都殘留有一些化學殘留物。而在上述使用六甲基二硅胺(HMDS)氣體進行噴涂以形成HMDS時，由于噴涂過程中的溫度一般為125°左右，且整個噴涂過程一般都持續60秒左右，因此在上述高溫環境下，VIA底部的化學殘留物受熱后以氣態的形式向上滲透到PR層與DUO層的交界處，與PR層底部的化學物質產生反應，且所生成的反應物難以通過蝕刻、灰化、化學剝離等方法去除，使得后續的光刻工藝中的圖案的形成不再由光刻膠確定，同時也使得對于光刻膠的再加工也變得更加困難。這種現象被稱之為“光刻膠中毒”(或“抗蝕劑中毒”)現象。因此，在半導體元器件的制造工藝中，需要盡量避免出現上述的光刻膠中毒的現象。

發明內容

本發明提供了一種減少光刻膠中毒現象的方法，從而有效地減少光刻膠中毒的現象的出現，提高產品的良率，節省工藝成本。

為達到上述目的，本發明中的技術方案是這樣實現的：

一種減少光刻膠中毒現象的方法，該方法包括：

在基底材料上通過蝕刻技術蝕刻出所需的通孔；

使用深紫外線吸收氧化(DUO)材料對所蝕刻的通孔進行填充，形成位于基底材料上的DUO層；

在所述DUO層上直接涂敷光刻膠，形成光刻膠層，并通過掩膜版對所述光刻膠層進行曝光、顯影以及蝕刻，形成所需的圖案。

所述的基底材料包括：四乙基原硅酸鹽層、黑鉆石層和碳化硅層。

綜上可知，本發明中提供了一種減少光刻膠中毒現象的方法。在該方法中，由于在形成DUO層后，在DUO層上直接涂敷光刻膠，形成光刻膠層，從而有效地減少光刻膠中毒的現象的出現，提高產品的良率，節省工藝成本。

附圖說明

圖1為現有技術中的光刻技術的示意圖。

圖2為本發明中的減少光刻膠中毒現象的流程圖。