[發明專利]減少光刻膠中毒現象的方法無效
| 申請號： | 200910194578.4 | 申請日： | 2009-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN101995767A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發明（設計）人： | 劉鳳梅;賀曉彬 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 減少 光刻 中毒 現象 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種減少光刻膠中毒現象的方法，其特征在于，該方法包括：
在基底材料上通過蝕刻技術蝕刻出所需的通孔；
使用深紫外線吸收氧化(DUO)材料對所蝕刻的通孔進行填充，形成位于基底材料上的DUO層；
在所述DUO層上直接涂敷光刻膠，形成光刻膠層，并通過掩膜版對所述光刻膠層進行曝光、顯影以及蝕刻，形成所需的圖案。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的基底材料包括：四乙基原硅酸鹽層、黑鉆石層和碳化硅層。
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