[發明專利]一種導光膜及其制備方法無效
| 申請號: | 200910189825.1 | 申請日: | 2009-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN102004269A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | 吳偉才;吳波 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B1/04 | 分類號: | G02B1/04;F21V8/00;C08J5/18;C08L83/04;C08K3/34;C08K3/22;C08K3/26 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導光膜 及其 制備 方法 | ||
【技術領域】
本發明涉及一種導光膜及其制備方法,尤其是一種無網點導光膜及其制備方法。
【背景技術】
液晶本身不發光,必須為其配備相應的照明系統。背光模組中通常包括電光源、導光膜、光學膜片和邊框幾部分。導光膜是背光器件中不可缺少的組成部分,其作用是改變光線的整體傳播方向。附在導光膜側面電光源發出的光線射入其中,將由其正面出射對液晶面板進行照明。導光膜技術的不斷改良是背光技術水平不斷提高的重要途徑。
導光膜按其工作原理的不同可分為印刷型、注塑成型型和光散射聚合物型。印刷型導光膜通常用反射率高的物質混合制成的墨水,在導光膜底部印刷成網點圖案。可以將射向下表面的光線吸收再放出。利用此性質可改變光線的傳播方向,而使光線不再滿足全反射條件而射出導光膜。但因散射角過大,印刷點亮度對比高,從而為達到光線均勻出射的目的,就必須選用較厚的擴散膜,這會使得光線能量在導光膜中被大量消耗,使背光組件的照明亮度降低。并且,網點的設計比較復雜,制成導光膜后尺寸不可再改變。
為了克服上述問題,現有技術中通常采用光散射聚合物導光膜。光散射聚合物導光膜在工作原理上較傳統的印刷型導光膜和注塑成型型導光膜有所不同。光散射聚合物導光膜基材中均勻摻雜了與導光膜基材折射率不同的其他材料的顆粒。光線在這些顆粒上通過散射改變傳播方向,側向散射光射出導光膜,不能射出的前向散射光線也會繼續向導光膜遠端傳播,進行下一次散射。光的散射發生在整個導光膜中而不僅是導光膜底面,所以光線在導光膜中傳播路徑更短,光線利用效率更高。光散射聚合物導光膜的出射光均勻性可以達到很好,可不再使用擴散膜從而降低了光線通過擴散膜的吸收損失。
在上述導光膜基體材料通常為聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),這類材料透光性好,但是,由于它們硬度高,較脆且不易彎曲,耐候性不夠,當以這些材料作為導光膜基體應用到背光模組,尤其是按鍵背光模組中時,手感生硬,使用壽命低。
【發明內容】
為了克服現有技術中的導光膜手感差的問題,本發明公開了一種導光膜及其制備方法,該導光膜手感好,耐候性好。
本發明公開的導光膜包括基體和分散于基體中的無機散射顆粒,其中,所述基體為硅膠,所述無機散射顆粒的平均粒徑為5-1000nm。
另外,本發明還公開了上述導光膜的制備方法,包括:
a、將硅膠料、硅膠稀釋劑、無機散射顆粒混合,得到硅膠預聚液;其中,無機散射顆粒的平均粒徑為5-1000nm;
b、將硅膠預聚液進行成型固化處理,得到導光膜。
發明人發現,硅膠中分子鏈的主鏈十分柔順,使硅膠整體呈現出良好的手感。硅膠的分子鏈中含有大量的硅氧鍵-Si-O-,無雙鍵存在,因此不易被紫外光和臭氧所分解,使硅膠具有比其他高分子材料更好的熱穩定性以及耐輻照和耐候能力。但是,硅膠的力學性能不夠高,從而在一定程度上限制了硅膠的應用。
本發明的發明人通過大量實驗意外的發現,通過將現有技術中常用的無機散射顆粒添加到硅膠中,制備成膜后,能作為光散射聚合物型導光膜代替現有的導光膜使用,手感好,并且該導光膜的力學性能相比于現有硅膠,有了極大的提高。
由于透明的硅膠中分散有無機散射顆粒,光源發出的光進入硅膠基體內,通過無機散射顆粒的散射作用使光線均勻化,并向出光面射出,即相當于現有的光散射聚合物型導光膜,并且該導光膜的手感好。同時,硅膠的分子鏈中含有大量的硅氧鍵-Si-O-,使無機散射顆粒在硅膠中能良好的分散。并且,分散于硅膠中的無機散射顆粒能與硅膠很好的相容,無機散射顆粒與硅膠之間的結合力好,對提高硅膠的力學性能十分有利,從而使該導光膜的力學性能得到提高,克服了硅膠作為導光膜使用的一個極大缺陷。同時,該力學性能好的硅膠導光膜的使用壽命能得到較大提高。
【具體實施方式】
為了使本發明所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白,以下對本發明進行進一步詳細說明。
本發明公開的導光膜包括基體和分散于基體中的無機散射顆粒,其中,所述基體為硅膠,所述無機散射顆粒的平均粒徑為5-1000nm。
根據本發明,基體材料所用的硅膠為現有技術中的有機硅膠,優選情況下,所述硅膠的透光率為90%-99.9%,進一步優選為92-98%。本發明中,透光率是指:對上述硅膠基體進行光照,透過硅膠基體的光量與投射到硅膠基體表面的光總量之比。
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