[發明專利]太陽能電池無效

申請號：	200910184733.4	申請日：	2009-08-20
公開（公告）號：	CN101635318A	公開（公告）日：	2010-01-27
發明（設計）人：	姚華文;張宏勇	申請（專利權）人：	江蘇華創光電科技有限公司
主分類號：	H01L31/042	分類號：	H01L31/042;H01L31/06
代理公司：	南京蘇高專利商標事務所（普通合伙）	代理人：	柏尚春
地址：	214213江蘇省宜興市***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	太陽能電池
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【權利要求書】：

1、一種太陽能電池，其特征在于，包括N型單晶硅材料為基底(35)，在基底(35)一側依次生長本征非晶硅薄膜(34)、P型氫化非晶硅薄膜(33)以及第一ITO薄膜(32)，在第一ITO薄膜(33)上設置有第一集電極(31)，在基底(35)另一側依次生長i型GeSi薄膜(36)、N型a-Si:H薄膜(37)以及第二ITO薄膜(38)，在第二ITO薄膜(38)上設置有第二集電極(39)。

2、根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述i型GeSi薄膜(36)為i型非晶GeSi薄膜或者i型的微晶GeSi薄膜。

3、根據權利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于，所述N型單晶硅材料的基底(35)為厚度為150～300μm，電阻率為1Ω·cm，取向為100的晶體硅。

4、根據權利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于，所述N型a-Si:H薄膜(37)的厚度為3～250nm。

5、根據權利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于，所述P型氫化非晶硅薄膜(33)厚度為5nm。

6、根據權利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一ITO薄膜(33)和第二ITO薄膜(38)厚度為100nm。

7、根據權利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一集電極(31)和第二集電極(39)為梳形電極。

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