[發明專利]L波段微型雙工器

有效

• 申請號: 200910184021.2
• 申請日: 2009-08-11
• 公開（公告）號: CN101621146A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發明（設計）人: 戴永勝;周文衎;葉仲華;李寶山;王飛;宋志東;王超宇;肖圣磊;郭玉紅;姚友芳;張杰;符光強
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P1/203;H03H7/075
• 代理公司: 南京理工大學專利中心
• 代理人: 朱顯國

1.一種L波段微型雙工器，其特征在于：包括表面安裝的75歐姆阻抗輸 入端口(P1)、表面安裝的75歐姆阻抗第一輸出端口(P2)、表面安裝的75歐姆阻 抗第二輸出端口(P3)、低通輸入電感(L1)、低通級聯電感(L2)、低通輸出電感(L3)、 第一高通零點電感(L4)、第二高通零點電感(L5)、第三高通零點電感(L6)、第一 低通接地電容(C1)、第二低通接地電容(C2)、第三低通接地電容(C4)、低通零點 電容(C3)、第一高通級聯電容(C5)、第二高通級聯電容(C6)、第三高通級聯電容 (C7)、第一高通零點接地電容(C8)、第二高通零點接地電容(C9)、第三高通零點 接地電容(C10)、第一屏蔽接地層(SD1)、第二屏蔽接地層(SD2)、第三屏蔽接地 層(SD3)；輸入端口(P1)一端接輸入信號分成兩路，一路順次連接低通輸入電感 (L1)、低通級聯電感(L2)、低通輸出電感(L3)和第一輸出端口(P2)，低通輸入電感 (L1)的一端與輸入端口(P1)連接，低通輸入電感(L1)另一端分別與低通級聯電感 (L2)的一端和第一低通接地電容(C1)的一端連接，低通級聯電感(L2)的另一端分 別與低通輸出電感(L3)的一端、低通零點電容(C3)的一端和第二低通接地電容 (C2)的一端連接，低通輸出電感(L3)的另一端分別與第一輸出端口(P2)一端、第 三低通接地電容(C4)的一端和低通零點電容(C3)的另一端連接，第一輸出端口(P2) 另一端輸出信號；另一路順次連接第一高通級聯電容(C5)、第二高通級聯電容 (C6)、第三高通級聯電容(C7)和第二輸出端口(P3)，第一高通級聯電容(C5)的一 端與輸入端口(P1)連接，第一高通級聯電容(C5)的另一端分別與第二高通級聯電 容(C6)的一端和第一高通零點電感(L4)的一端連接，第一高通零點電感(L4)的另 一端與第一高通零點接地電容(C8)的一端連接，第二高通級聯電容(C6)的另一端 分別與第三高通級聯電容(C7)的一端和第二高通零點電感(L5)的一端連接，第二 高通零點電感(L5)的另一端與第二高通零點接地電容(C9)的一端連接，第三高通 級聯電容(C7)的另一端分別與第二輸出端口(P3)和第三高通零點電感(L6)的一端 連接，第二輸出端口(P3)輸出信號，第三高通零點電感(L6)的另一端與第三高通 零點接地電容(C10)的一端連接，第二輸出端口(P3)輸出信號；第一低通接地電容 (C1)另一端接第二屏蔽接地層(SD2)、第二低通接地電容(C2)另一端接第三屏蔽 接地層(SD3)、第三低通接地電容(C4)另一端接第三屏蔽接地層(SD3)、第一高通 零點接地電容(C8)另一端接第一屏蔽接地層(SD1)、第二高通零點接地電容(C9) 另一端接第二屏蔽接地層(SD2)、第三高通零點接地電容(C10)另一端接第一屏蔽 接地層(SD1)。

2.根據權利要求1所述的L波段微型雙工器，其特征在于：表面安裝的75 歐姆阻抗輸入端口(P1)、表面安裝的75歐姆阻抗第一輸出端口(P2)、表面安裝的 75歐姆阻抗第二輸出端口(P3)、低通輸入電感(L1)、低通級聯電感(L2)、低通輸 出電感(L3)、第一高通零點電感(L4)、第二高通零點電感(L5)、第三高通零點電 感(L6)、第一低通接地電容(C1)、第二低通接地電容(C2)、第三低通接地電容(C4)、 低通零點電容(C3)、第一高通級聯電容(C5)、第二高通級聯電容(C6)、第三高通 級聯電容(C7)、第一高通零點接地電容(C8)、第二高通零點接地電容(C9)、第三 高通零點接地電容(C10)、第一屏蔽接地層(SD1)、第二屏蔽接地層(SD2)、第三 屏蔽接地層(SD3)均采用多層低溫共燒陶瓷工藝實現；其中所述低通輸入電感 (L1)、低通級聯電感(L2)、低通輸出電感(L3)、第一高通零點電感(L4)、第二高通 零點電感(L5)、第三高通零點電感(L6)均采用六層耦合的帶狀線實現；第一低通 接地電容(C1)、第二低通接地電容(C2)、第三低通接地電容(C4)、低通零點電容 (C3)、第一高通級聯電容(C5)、第二高通級聯電容(C6)、第三高通級聯電容(C7)、 第一高通零點接地電容(C8)、第二高通零點接地電容(C9)、第三高通零點接地電 容(C10)、均采用介質平板電容實現。