[發明專利]一種單晶硅棒切方工藝

無效

• 申請號: 200910182701.0
• 申請日: 2009-09-03
• 公開（公告）號: CN101664970A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 杜正興
• 申請（專利權）人: 無錫尚品太陽能電力科技有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;C09G1/02
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所
• 代理人: 殷紅梅

技術領域

本發明屬于光伏技術領域，具體是涉及一種用于現代單晶硅片生產的單 晶硅棒切方工藝。

背景技術

隨著全球范圍內綠色能源的推廣和近年來半導體產業的飛速發展，硅片 市場的供需已極度不平衡，切割加工能力的落后與產能的嚴重不足已構成了 整個半導體產業鏈的瓶頸。作為硅片上游生產的關鍵技術，近年來崛起的新 型硅片多絲切割技術具有切割表面質量高、切割效率高、可切割尺寸大和后 續加工方便等優點。而日本NTC切方機在正產生產過程中穩定性(連續切割 三批后)波動比較大，第一批次和第三批次切割尺寸誤差超過±0.8左右，第 三批次后的尺寸往往超過公差標準，上下斜度更是超過+0.6以上，合格率 僅僅只有50％左右，(單位長度300mm左右)需經再次修磨才能合格，這些 不合格方棒給公司帶來了極大的損失。

發明內容

本發明的目的在于針對現有技術中存在的不足，提供一種切割精度高， 次品率低的單晶硅棒切方工藝。

本發明的目的通過以下的技術方案實現：所述單晶硅棒切方工藝包括如 下步驟：

(1)選取長度在220～500mm之間，直徑在153～160mm之間的單晶硅 圓棒，將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻，粘 膠溫度為380～420℃，單晶硅圓棒的垂直偏差角度在90°±1.5以內；

(2)將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機加磁工作臺上，編號記 錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；

(3)校準連接定位臺，將導向輪間距修正為124.7mm；設定加工切割參 數，開動切方機進行帶砂切割，其中，砂漿密度為1.70～1.82g/cm³；砂漿溫 度為24.5～25.5℃；砂漿流量為110L/min～130L/min；新線放給量為30m/min； 切割平均速度為580～620m/min；切割速度530um/min

(4)將上述切割后的半成品轉移到30～35℃溫水中放置10～15min后， 再放入58～62℃左右的熱水中進行脫膠，去除邊皮并分離晶托；

(5)檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品，邊長公差在± 0.1mm以內，垂直偏差度在90°±1.5度以內，表面光潔度在以上的即 為合格品，合格品可轉入其他操作工序。

所述砂漿的配制：首先將碳化硅F360和碳化硅W800按6∶4的重量比混 合均勻制成混合物；然后將上述混合物與聚乙二醇按1∶1.05的重量比混合并 攪拌均勻，配制成砂漿。

本發明與現有技術相比，切割效果良好，合格率大幅度提高，極大地提 高了機器的工作效率；導向輪間距經過修正后，即使切割中帶砂不夠，也能 保證整個尺寸控制在公差值以內。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發明作進一步描述：

實施例1

(1)選取長度為300mm，直徑在155mm的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒 用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為400℃，單 晶硅圓棒的垂直偏差角度在90°±1.5以內；

(2)將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機的加磁工作臺上，編號 記錄，加磁固定晶托和單晶硅圓棒；用加磁器加磁10秒，連續3次；

(3)校準定位臺，將導向輪間距修正為124.7mm；設定加工切割參數， 開動切割機進行帶砂切割，其中，砂漿密度為1.78g/cm³；砂漿溫度為25℃； 砂漿流量為110L/min；新線放給量為30m/min；切割平均速度為600m/min； 切割速度530um/min

(4)將上述切割后的半成品轉移到30℃左右的溫水中放置15min后， 再放入60℃左右的熱水中進行脫膠，去除邊皮并分離晶托后轉入其它操作工 序；

(5)檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品，經檢驗，該半成品 邊長公差為0，垂直偏差度為0，表面光潔度為，完全符合切方標準要求， 可轉入其它操作工序。

實施例2

本發明單晶硅棒切方工藝包括如下步驟：

(1)選取長度為300mm，直徑在155mm的單晶硅圓棒，將單晶硅圓棒 用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻，粘膠溫度為400℃，單 晶硅圓棒的垂直偏差角度在90°±1.5以內；