[發明專利]一種單晶硅棒切方工藝無效
| 申請號: | 200910182701.0 | 申請日: | 2009-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN101664970A | 公開(公告)日: | 2010-03-10 |
| 發明(設計)人: | 杜正興 | 申請(專利權)人: | 無錫尚品太陽能電力科技有限公司 |
| 主分類號: | B28D5/04 | 分類號: | B28D5/04;C09G1/02 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所 | 代理人: | 殷紅梅 |
| 地址: | 214181江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單晶硅 棒切方 工藝 | ||
1.一種單晶硅圓棒切方工藝,其特征在于:包括如下步驟:
(1)選取長度在220~500mm之間,直徑在153~160mm之間的單晶硅 圓棒,將單晶硅圓棒用粘膠垂直粘接在切方機的晶托上并在常溫下冷卻,粘 膠溫度為380~420℃;單晶硅圓棒的垂直偏差角度在±1.5度以內;
(2)將切方機的晶托和單晶硅圓棒放置在切方機加磁工作臺上,編號記 錄,加磁固定晶托和單晶硅圓棒;
(3)校準連接定位臺,將導向輪間距修正為124.7mm;開動切方機進行 帶砂切割,其中,砂漿密度為1.70~1.82g/cm3;砂漿溫度為24.5~25.5℃;砂 漿流量為110L/min~130L/min;新線放給量為30m/min;切割平均速度為 580~620m/min;切割速度530um/min;
(4)將上述切割后的半成品轉移到30~35℃溫水中放置10~15min后, 再放入58~62℃的熱水中進行脫膠,去除邊皮并分離晶托;
(5)檢驗上述經過脫膠并分離晶托處理后的半成品,邊長公差在± 0.1mm以內。
2.根據權利要求1所述的一種單晶硅圓棒切方工藝,其特征還在于所述 砂漿的配制:將碳化硅F360和碳化硅W800按6∶4重量比混合均勻制成混合 物;再將混合物與聚乙二醇按1∶1.05重量比混合并攪拌均勻,配制成砂漿。
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