[發明專利]單晶硅太陽電池絨面上pn結雜質濃度分布的測量方法

無效

• 申請號: 200910182605.6
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN101692062A
• 公開（公告）日: 2010-04-07
• 發明（設計）人: 楊春杰;朱敏杰;沈專;馬躍;王景霄
• 申請（專利權）人: 江蘇林洋新能源有限公司
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04;G01N5/04
• 代理公司: 南通市永通專利事務所 32100
• 代理人: 葛雷

1.一種單晶硅太陽電池絨面上pn結雜質濃度分布的測量方法，其特征是：包括下列步驟：

(1)把具有金字塔絨面的擴散后單晶硅片作為測量對象：將單晶原硅片用堿腐蝕液制絨得到金字塔絨面，將制絨后的硅片酸洗后擴散，并用HF酸清洗掉磷硅玻璃，測量此時硅片的薄層電阻并稱重；

(2)室溫下在硅片上電化學生長氧化層，用HF酸腐蝕掉氧化層，并在清潔干燥表面上用四探針法測量薄層電阻；重復多次上述氧化、腐蝕、稱重和薄層電阻測量，觀察每次表面層上薄層電阻變化，若發現逐漸變大的電阻突然變小，則pn結就在此表面的位置上；

(3)通過硅片腐蝕前后重量差得到每次氧化腐蝕深度，通過每次測得的薄層電阻換算得到相應雜質濃度，從而獲得擴散層縱向雜質分布的真實情況，并制得反映雜質濃度分布情況的雜質濃度分布曲線。

2.根據權利要求1所述的單晶硅太陽電池絨面上pn結雜質濃度分布的測量方法，其特征是：所述的電化學方法是采用陽極氧化法，即以待測硅片為陽極，以石墨棒為陰極，電解液為硼砂溶液，電源為50V的直流電源。

3.根據權利要求1所述的一種單晶硅太陽電池絨面上pn結雜質濃度分布的測量方法，其特征是：擴散層面積即金字塔表面積等于硅片面積乘面積因子，面積因子采用彩色3D激光顯微鏡或原子力顯微鏡測量確定。