[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 200910179792.2
• 申請日: 2009-10-19
• 公開（公告）號: CN101728359A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 津田浩嗣;窪田吉孝;高岡洋道
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L23/528
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種半導體器件，包括：

基板；

電熔絲，所述電熔絲被形成在所述基板的上方；

第一大面積布線，所述第一大面積布線形成在所述基板上方的至 少第一層中，用于將電壓施加給電熔絲；

第二大面積布線，所述第二大面積布線形成在所述基板上方的不 同于所述第一層的至少第二層中，用于將電壓施加給所述電熔絲，

其中所述電熔絲包括：

熔絲單元，所述熔絲單元包括形成在所述第一層中的第一熔絲布 線、形成在所述第二層中的第二熔絲布線、以及連接所述第一熔絲布 線和所述第二熔絲布線的導通孔，并且其中當切斷所述熔絲時形成構 成所述電熔絲的導電材料的流出部分和切斷部分；

第一引出布線，所述第一引出布線形成在所述第一層中，連接所 述第一熔絲布線和所述第一大面積布線，并且具有彎曲圖案；以及

第二引出布線，所述第二引出布線形成在所述第二層中，連接所 述第二熔絲布線和所述第二大面積布線，并且具有彎曲圖案。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述熔絲單元中， 通過從所述第一熔絲布線中流出構成所述電熔絲的所述導電材料形成 所述流出部分。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，在所述熔絲單元中， 在所述導通孔處形成所述切斷部分。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，在所述熔絲單元中， 在所述導通孔處形成所述切斷部分。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一引出布線被 形成為具有比所述第一熔絲布線大的布線寬度，并且

其中所述第二引出布線被形成為具有比所述第二熔絲布線大的布 線寬度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一大面積布線 和所述第二大面積布線被分別提供為在第一方向上延伸，并且

其中所述第一熔絲布線、所述導通孔以及所述第二熔絲布線被形 成為當在平面視圖中看時在所述第一方向上在同一直線上延伸。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一引出布線從 所述第一大面積布線在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸、以直 角彎曲、并且然后在所述第一方向上延伸以被連接至所述第一熔絲布 線，并且

其中所述第二引出布線從所述第二大面積布線在所述第二方向上 延伸、以直角彎曲、并且然后在所述第一方向上延伸以被連接至所述 第二熔絲布線。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一大面積布線 和所述第二大面積布線被提供為當在平面視圖中看時彼此相對并且相 互隔開，并且

其中當在平面視圖中看時，所述第一熔絲布線、所述導通孔以及 所述第二熔絲布線被提供在所述第一大面積布線和所述第二大面積布 線之間。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一大面積布線 和所述第二大面積布線被提供為當在平面視圖中看時彼此相對并且相 互隔開，并且

其中當在平面視圖中看時，所述第一熔絲布線、所述導通孔以及 所述第二熔絲布線被提供在所述第一大面積布線和所述第二大面積布 線之間。

10.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一大面積布 線和所述第二大面積布線被提供為當在平面視圖中看時被堆疊，并且

其中當在平面視圖中看時，所述第一引出布線和所述第二引出布 線在不同位置處分別與所述第一大面積布線和所述第二大面積布線相 連接。

11.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一大面積布 線和所述第二大面積布線被提供為當在平面視圖中看時被堆疊，并且

其中當在平面視圖中看時，所述第一引出布線和所述第二引出布 線在不同位置處分別與所述第一大面積布線和所述第二大面積布線相 連接。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一熔絲布線 被形成為具有比所述第二熔絲布線大的體積。