[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910179792.2
• 申請日: 2009-10-19
• 公開（公告）號: CN101728359A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 津田浩嗣;窪田吉孝;高岡洋道
• 申請（專利權(quán)）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L23/528
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

此申請是以日本專利公開No.2008-269004為基礎(chǔ)，其內(nèi)容在這里 通過引用并入。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及包括電熔絲的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

近年來，已經(jīng)提出被稱為“裂紋幫助型工藝”的切斷電熔絲的新 方法。在此方法中，當(dāng)電熔絲被切斷時(shí)，將到電熔絲的結(jié)構(gòu)和到電熔 絲的電壓施加控制為強(qiáng)制地使得電熔絲的導(dǎo)電材料在電熔絲的一部分 處流出并且流入存在于導(dǎo)電材料的附近中的絕緣膜。通過這樣做，流 出和供應(yīng)的材料之間的平衡被破壞，并且在另外的地區(qū)中形成大的切 斷部分。這樣，能夠顯著地減少切斷的電熔絲的重新連接的可能性， 并且能夠保持所想要的切斷狀態(tài)。(例如，請參見日本特開專利公開 NO.2007-73624、2007-305693以及2007-305939)。

日本特開專利公開NO.2007-73624公布其中熔絲被折回的結(jié)構(gòu)。 通過此結(jié)構(gòu)，在熔絲被折回的部分處的熔絲材料易于變熱以促進(jìn)切斷 同時(shí)允許在其它部分處切斷熔絲，從而良好地保持切斷的熔絲的切斷 狀態(tài)。

日本特開專利公開NO.2007-305693和2007-305939公布包括下層 布線、上層布線以及連接這些層布線的導(dǎo)通孔的電熔絲。通過此構(gòu)造， 例如當(dāng)向外噴射從組成電熔絲的上層布線形成的導(dǎo)電體時(shí)，導(dǎo)通孔的 導(dǎo)電體隨著導(dǎo)電體的移動而移動從而在導(dǎo)通孔中形成切斷部分。這樣， 通過在導(dǎo)通孔中形成切斷部分，能夠防止電熔絲在電熔絲的切斷之后 被重新連接。

另外，日本特開專利公開NO.H-6-140510、2007-5424、2005-39220 以及2005-197416也公布其中熔絲被折回的結(jié)構(gòu)。具體地，日本特開專 利公開NO.H-6-140510、2007-5424以及2005-39220公布其中組成熔絲 的材料被熔融并且通過電流流過熔絲切斷該材料的傳統(tǒng)的電熔絲。通 過此構(gòu)造，通過折回熔絲的切斷部分，電流被集中在熔斷體(fuse?link) 的彎曲部分，這導(dǎo)致有助于熔融熔絲材料。日本特開專利公開 NO.2005-197416公布其中通過激光切斷熔絲的結(jié)構(gòu)。利用此構(gòu)造，通 過折回熔絲的切斷部分，能夠改進(jìn)即使激光光束偏離的情況下的切斷 的建立。

發(fā)明內(nèi)容

然而，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，即使當(dāng)使用裂紋幫助型工藝切斷具有 如在日本特開專利公開NO.2007-305693和2007-305939中公布的構(gòu)造 的電熔絲時(shí)存在以下問題。使用裂紋幫助型工藝切斷電熔絲要求比使 用傳統(tǒng)的熔融方法切斷材料更高的施加電壓。因此，裂紋幫助型工藝 要求進(jìn)行高施加電壓的設(shè)置。然而，由于從工藝變化導(dǎo)致的晶體管的 電流偏離等等中的變化可以導(dǎo)致施加電壓發(fā)生變化。本發(fā)明人已經(jīng)認(rèn) 識到具有如日本特開專利公開NO.2007-305693和2007-305939中公布 的構(gòu)造的電熔絲具有下述問題，即容許范圍在下限側(cè)較窄，在所述容 許范圍中特別當(dāng)施加電壓被改變?yōu)闇p小時(shí)不發(fā)生切斷缺陷。

根據(jù)通過本發(fā)明的研究，相信當(dāng)施加電壓被改變?yōu)闇p小時(shí)發(fā)生的 切斷缺陷是由于當(dāng)被用于將電壓施加給電熔絲的諸如公共布線、焊盤 布線等等的大面積布線當(dāng)電熔絲被切斷時(shí)用作散熱器(heat?sink)時(shí)在 電熔絲中產(chǎn)生的熱輻射導(dǎo)致的。

在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括：

基板；

電熔絲，該電熔絲被形成在基板的上方；

第一大面積布線，該第一大面積布線被形成在基板的上方的至少 第一層中用于將電壓施加給電熔絲；

第二大面積布線，該第二大面積布線被形成在基板的上方的不同 于第一層的至少第二層中用于將電壓施加給電熔絲，

其中電熔絲包括：

熔絲單元，該熔絲單元包括被形成在第一層中的第一熔絲布線、 形成在第二層中的第二熔絲布線、以及連接第一熔絲布線和第二熔絲 布線的導(dǎo)通孔，并且其中當(dāng)切斷熔絲時(shí)形成組成電熔絲和切斷部分的 導(dǎo)電材料的流出部分；

第一引出布線，該第一引出布線被形成在第一層中，連接第一熔 絲布線和第一大面積布線，并且具有彎曲圖案；以及

第二引出布線，該第二引出布線被形成在第二層中，連接第二熔 絲布線和第二大面積布線，并且具有彎曲圖案。