[發明專利]非易失性存儲單元及非易失性存儲器的布局

有效

• 申請號: 200910179167.8
• 申請日: 2009-09-29
• 公開（公告）號: CN102034827A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 施泓林;陳智彬;殷珮菁;蔡慧芳
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/92;H01L29/06;H01L23/528
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種非易失性存儲單元，包括：

半導體基底；

多個隔離結構，配置于該半導體基底中，以將該半導體基底區隔為晶體管區與電容器區；

第一型摻雜阱，配置于該電容器區內；

導體，跨置于所述多個隔離結構、該晶體管區與該第一型摻雜阱上方，該導體包括電容部與晶體管部并具有彼此相對的第一側緣與第二側緣，其中該電容部位于該第一型摻雜阱上方，該晶體管部位于該晶體管區上方，且該第一側緣位于該晶體管區一側的該隔離結構上方，該第二側緣位于該第一型摻雜阱上方；

兩個第一離子摻雜區，分別設置于該晶體管部兩側的該晶體管區中，而與該導體的該晶體管部構成晶體管；以及

第二離子摻雜區，設置于該導體一側的該第一型摻雜阱中，而與該導體的該電容部構成電容器。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲單元，其中該半導體基底為第二型摻雜半導體基底。

3.如權利要求2所述的非易失性存儲單元，其中該第一型摻雜阱為N型摻雜阱，所述第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區為N型離子摻雜區，該半導體基底為P型摻雜半導體基底。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲單元，還包括第二型摻雜阱，配置于該晶體管區內，且所述第一離子摻雜區位于該第二型摻雜阱中。

5.如權利要求4所述的非易失性存儲單元，其中該第一型摻雜阱為N型摻雜阱，所述第一離子摻雜區與該第二離子摻雜區為N型離子摻雜區，該第二型摻雜阱為P型摻雜阱。

6.如權利要求1所述的非易失性存儲單元，其中該第一型摻雜阱在垂直所述多個隔離結構的方向上的寬度大于該電容部在垂直所述多個隔離結構的方向上的長度的兩倍。

7.如權利要求1所述的非易失性存儲單元，其中該導體的該晶體管部與該電容部在垂直所述多個隔離結構的方向上的長度相等。

8.如權利要求1所述的非易失性存儲單元，其中該導體的該晶體管部與該電容部在垂直所述多個隔離結構的方向上的長度不同。

9.一種非易失性存儲器的布局，包括：

半導體基底，該半導體基底中具有多條隔離結構，以將該半導體基底區隔為多個第一晶體管區、多個電容器區與多個第二晶體管區，其中各該電容器區位于對應的該第一晶體管區與該第二晶體管區之間，且兩相鄰的所述多個電容器區之間排列有對應的該第一晶體管區與該第二晶體管區；

多個第一型摻雜阱，分別配置于對應的所述多個電容器區其中之一內；

多個第一導體，跨置于對應的所述多個隔離結構、該第一晶體管區與該第一型摻雜阱上方，各該第一導體包括第一電容部與第一晶體管部并具有彼此相對的第一側緣與第二側緣，其中各該第一電容部位于對應的該第一型摻雜阱上方，各該第一晶體管部位于對應的該第一晶體管區上方，且各該第一側緣位于對應的該第一晶體管區一側的該隔離結構上方，各該第二側緣位于對應的該第一型摻雜阱上方；

多個第二導體，跨置于對應的所述多個隔離結構、該第二晶體管區與該第一型摻雜阱上方，各該第二導體包括第二電容部與第二晶體管部并具有彼此相對的第三側緣與第四側緣，其中各該第二電容部位于對應的該第一型摻雜阱上方，各該第二晶體管部位于對應的該第二晶體管區上方，且各該第三側緣位于對應的該第二晶體管區一側的該隔離結構上方，各該第四側緣位于對應的該第一型摻雜阱上方而與所述多個第二側緣其中之一相鄰；

多個第一離子摻雜區，分別設置于所述多個第一導體兩側的所述多個第一晶體管區中以及所述多個第二導體兩側的所述多個第二晶體管區中，而分別與所述多個第一導體的所述多個第一晶體管部構成多個第一晶體管，并與所述多個第二導體的所述多個第二晶體管部構成多個第二晶體管；以及

多個第二離子摻雜區，各該第二離子摻雜區設置于相鄰的所述多個第一導體與所述多個第二導體之間的該第一型摻雜阱中，以同時與對應所述多個第一導體的所述多個第一電容部與所述多個第二導體的所述多個第二電容部構成多個電容器；

多條字線，排列于該半導體基底上，且每一條字線耦接所述多個第二離子摻雜區；以及

多條位線，與所述多條字線垂直地排列于該半導體基底上，且每一條位線耦接部分的所述多個第一離子摻雜區。

10.如權利要求9所述的非易失性存儲器的布局，其中該半導體基底為第二型摻雜半導體基底。