[發(fā)明專利]集成電路和半導(dǎo)體裝置制造方法、隔絕區(qū)域階高控制方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910179129.2
• 申請日: 2009-09-29
• 公開（公告）號: CN101728310A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴素貞;鄭光茗;莊學(xué)理;沈俊良;廖舜章
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/311;H01L21/66;H01L21/3105
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種集成電路的制造方法，包括下列步驟：

提供一基板，其具有一個或多個溝槽；

填充該一個或多個溝槽；

對已填充的一個或多個該溝槽進(jìn)行一化學(xué)機械研磨工藝，其中所述一個或多個溝槽中的每一個包括一厚度；

測量所述已填充的一個或多個溝槽中的每一個的該厚度；

根據(jù)所述已填充的一個或多個該溝槽中的每一個的已測量的該厚度決定進(jìn)行一蝕刻工藝的一總時間；以及

以已決定的該總時間進(jìn)行該蝕刻工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路的制造方法，其中進(jìn)行該化學(xué)機械研磨工藝包括研磨不足一個或多個該溝槽。

3.如權(quán)利要求1所述的集成電路的制造方法，其中進(jìn)行該蝕刻工藝包括進(jìn)行一濕蝕刻工藝。

4.如權(quán)利要求3所述的集成電路的制造方法，其中該濕蝕刻工藝包括一浸泡氫氟酸工藝。

5.如權(quán)利要求1所述的集成電路的制造方法，其中根據(jù)所述已填充的一個或多個溝槽中的每一個的已測量的該厚度決定進(jìn)行該蝕刻工藝的該總時間的步驟包括決定已填充的一個或多個該溝槽的平均厚度。

6.如權(quán)利要求1所述的集成電路的制造方法，其中根據(jù)所述已填充的一個或多個溝槽中的每一個的已測量的該厚度決定進(jìn)行該蝕刻工藝的該總時間的步驟包括將所述已填充的一個或多個溝槽中的每一個的測量厚度與一目標(biāo)厚度比較。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟：

進(jìn)行一化學(xué)機械研磨工藝，其中該化學(xué)機械研磨工藝形成具有一第一厚度的至少一個隔絕區(qū)域；

測量至少一個該隔絕區(qū)域的該第一厚度；以及

通過測量至少一個該隔絕區(qū)域的該第一厚度，決定一持續(xù)時間以進(jìn)行一第一濕蝕刻工藝，其中該第一濕蝕刻工藝形成具有一第二厚度的至少一個隔絕區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中進(jìn)行該化學(xué)機械研磨工藝包括研磨不足。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中進(jìn)行該第二濕蝕刻工藝包括一浸泡氫氟酸工藝。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括測量至少一個該隔絕區(qū)域的該第二厚度。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中測量的該第二厚度未達(dá)到一目標(biāo)厚度，還包括通過已測量的該第二厚度，決定一持續(xù)時間以進(jìn)行一第二濕蝕刻工藝。

12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過測量至少一個該隔絕區(qū)域的該第一厚度，決定一持續(xù)時間以進(jìn)行一第一濕蝕刻工藝的步驟包括將該第一厚度與一目標(biāo)厚度比較。

13.一種位于一半導(dǎo)體裝置上的一個或多個隔絕區(qū)域階高的控制方法，包括下列步驟：

進(jìn)行一化學(xué)機械研磨工藝，其中該化學(xué)機械研磨工藝研磨不足一個或多個該隔絕區(qū)域；

測量一個或多個該隔絕區(qū)域的該階高；以及

一個或多個該隔絕區(qū)域的已測量的該階高未達(dá)到一目標(biāo)階高，進(jìn)行一濕蝕刻工藝。

14.如權(quán)利要求13所述的控制方法，其中一個或多個該隔絕區(qū)域包括淺溝槽隔絕區(qū)域。

15.如權(quán)利要求13所述的控制方法，其中該濕蝕刻工藝包括一浸泡氫氟酸工藝。