[發明專利]發光元件

無效

• 申請號: 200910178220.2
• 申請日: 2009-09-27
• 公開（公告）號: CN101714595A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 飯塚和幸;新井優洋
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶

本申請基于于2008年9月29日提交的日本專利申請第2008-249673號，通過引用將其全部內容引入本文。

技術領域

本發明涉及發光元件，特別涉及高亮度發光元件。

背景技術

已知一種常規的發光元件，其包括硅支撐基板、設置在硅支撐基板的一個表面上的金屬反射層、設置在金屬反射層上的透光膜、設置在部分透光膜的區域內且具有活性層的半導體層壓結構、設置在半導體層壓結構上的陰極、以及設置在沒有半導體層壓結構的透光膜區域內的陽極(例如參見JP-2005-175462A)。

在JP-2005-175462A所述的發光元件中，因為陽極和陰極都面對同一表面側，可能從發光表面側(活性層發出的光由此射向外面)向發光元件供給電流。

然而，由于JP-2005-175462A所述的發光元件在透光膜上設置陽極，供給到陽極的電流可能不足以擴散到透光膜中，并且不能提供高亮度的發光元件。

發明概要

因此，本發明的目的是提供高亮度的發光元件。

(1)根據本發明的一種實施方式，一種發光元件，包括：

半導體層壓結構，包括第一導電型的第一半導體層、不同于所述第一導電型的第二導電型的第二半導體層以及夾在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的活性層；

在所述半導體層壓結構的一側表面上的第一電極；

在所述半導體層壓結構的另一側表面上用于反射由所述活性層發出的光的導電反射層；

在所述半導體層壓結構和所述導電反射層之間局部形成的且與所述半導體層壓結構歐姆接觸的接觸部；以及

在所述半導體層壓結構上的所述導電反射層的部分表面上未與所述半導體層壓結構接觸的第二電極，用于通過所述導電反射層向所述接觸部供給電流。

在上述實施方式(1)中，可以作出下列改進和變化。

(i)該發光元件進一步包括：

支撐基板，在該支撐基板上形成所述導電反射層；以及

在所述半導體層壓結構和所述導電發射層之間形成的且包含開口的透明層，

其中，在除了第一電極正下方之外的所述透明層上形成所述開口，在所述開口中形成所述接觸部，以及所述半導體層壓結構經透明層被所述支撐基板支撐。

(ii)所述透明層包括選自SiO₂、SiN和ITO中的一種。

(iii)從所述一側表面到所述另一側表面，部分去除所述半導體層壓結構，在與部分去除所述半導體層壓結構的區域相對應的所述導電反射層上形成部分開口，以及所述第二電極與在所述部分開口中形成的所述接觸部相接觸。

(iv)從所述一側表面到所述另一側表面，部分去除所述半導體層壓結構，在與部分去除所述半導體層壓結構的區域相對應的所述導電反射層上未形成透明層，以及所述第二電極與對應于未形成所述透明層的區域的導電反射層相接觸。

發明點

根據本發明的實施方式，第二墊電極與金屬材料形成的接觸部直接接觸，以致供給第二墊電極的電流經該接觸部(即梳狀線狀部)被供給到p型接觸層。也就是說，經第二電極墊供給的電流經過在第二電極墊正下方的接觸部、導電反射層、連接p型接觸層的接觸部(即梳狀線狀部)被供給到p接觸層。使接觸部(即梳狀線狀部)成形或定位為使得將電流基本均勻地供給到p型接觸層的基本上整個表面。因而，由于供應給發光元件的電流能夠基本上均勻地分散在p型接觸層的平面內，所以分散的電流也能夠基本上均勻地分散在活性層的平面內。其結果是，可以獲得高亮度的發光元件。

附圖說明

接下來將結合附圖更詳細地解釋本發明，其中：

圖1A是顯示本發明第一優選實施方式中的發光元件的示意性俯視圖；

圖1B是顯示第一實施方式中的發光元件的示意性截面圖；

圖2A到2R是顯示用于制造第一實施方式中的發光元件的工藝的視圖；

圖3是顯示比較例中發光元件的截面圖；以及

圖4是顯示本發明第一實施方式中的發光元件的截面圖。

優選實施方式的描述

第一實施方式

圖1A是顯示本發明第一優選實施方式中的發光元件的示意性俯視圖。另外，圖1B是顯示本發明第一實施方式中的發光元件的示意性截面圖。圖1B是沿圖1A中的A-A線所截取的示意性截面圖。

發光元件1的結構概述