[發明專利]發光元件無效
| 申請號： | 200910178220.2 | 申請日： | 2009-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN101714595A | 公開（公告）日： | 2010-05-26 |
| 發明（設計）人： | 飯塚和幸;新井優洋 | 申請（專利權）人： | 日立電線株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 元件 | ||
1.一種發光元件，包括：
半導體層壓結構，包括第一導電型的第一半導體層、不同于所述第一導電型的第二導電型的第二半導體層以及夾在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的活性層；
在所述半導體層壓結構的一側表面上的第一電極；
在所述半導體層壓結構的另一側表面上用于反射由所述活性層發出的光的導電反射層；
在所述半導體層壓結構和所述導電反射層之間局部形成的且與該半導體層壓結構歐姆接觸的接觸部；以及
在所述半導體層壓結構上的所述導電反射層的部分表面上未與所述半導體層壓結構接觸的第二電極，用于通過所述導電反射層向所述接觸部供給電流。
2.根據權利要求1所述的發光元件，進一步包括：
支撐基板，在該支撐基板上形成所述導電反射層；以及
在所述半導體層壓結構和所述導電反射層之間形成的且包含開口的透明層，
其中，在除了第一電極正下方之外的所述透明層上形成所述開口，
在所述開口中形成所述接觸部，以及
所述半導體層壓結構經透明層被所述支撐基板支撐。
3.根據權利要求2所述的發光元件，其中
所述透明層包括選自SiO2、SiN和ITO中的一種。
4.根據權利要求3所述的發光元件，其中
從所述一側表面到所述另一側表面，部分去除所述半導體層壓結構，
在與部分去除所述半導體層壓結構的區域相對應的所述導電反射層上形成部分開口，以及
所述第二電極與在所述的部分開口中形成的接觸部相接觸。
5.根據權利要求3所述的發光元件，其中
從所述一側表面到所述另一側表面，部分去除所述半導體層壓結構，
在與部分去除所述半導體層壓結構的區域相對應的所述導電反射層上未形成透明層，以及
所述第二電極與相對應于未形成所述透明層的區域的所述導電反射層相接觸。
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