[發(fā)明專利]恒溫型晶體振蕩器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910178138.X | 申請(qǐng)日: | 2009-10-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101719756A | 公開(公告)日: | 2010-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伊藤學(xué) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日本電波工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H03B5/04 | 分類號(hào): | H03B5/04;H03B5/32;G05D23/19 |
| 代理公司: | 北京泛誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11298 | 代理人: | 陳波;楊本良 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 恒溫 晶體振蕩器 | ||
本申請(qǐng)要求2008年10月8日提交的日本專利申請(qǐng)No.2008-261426的優(yōu)先權(quán),其整個(gè)主題結(jié)合于此供參考。?
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種利用引線(lead)型晶體單元的恒溫型晶體振蕩器(下文中稱作恒溫型振蕩器)的技術(shù)領(lǐng)域,特別是,涉及能夠減小其高度尺寸的恒溫型振蕩器。?
背景技術(shù)
即便當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí),恒溫型振蕩器也保持其晶體單元的工作溫度不變,并且改善頻率穩(wěn)定性。因此,恒溫型振蕩器用于通信設(shè)施中的無線設(shè)備,該無線設(shè)備是,例如,基站。近年來,加熱電阻器被用作熱源,代替其上纏繞加熱線圈的傳統(tǒng)的恒溫槽(bath),以簡(jiǎn)化恒溫結(jié)構(gòu)。作為其中之一,有利用引線型晶體單元的恒溫型振蕩器。?
圖2A和2B是用于說明現(xiàn)有技術(shù)恒溫型振蕩器的示意圖。圖2A是現(xiàn)有技術(shù)恒溫型振蕩器的剖視圖,圖2B是其電路圖。圖3A和3B是用于說明現(xiàn)有技術(shù)恒溫型振蕩器的晶體單元的示意圖。圖3A是其剖視圖,而圖3B是其頻率-溫度特性曲線圖。?
圖2A和2B所示的恒溫型振蕩器包括引線型晶體單元1、形成振蕩器輸出電路2和溫度控制電路3的相應(yīng)的電路元件4、以及包括晶體單元1的電路元件4安裝在其上的電路基板5。于是,恒溫型振蕩器構(gòu)造成使得電路基板5用振蕩器底板(金屬底板)7的引線8(所謂的氣密端子)保持,該引線8用玻璃6做成氣密的,并且這些部件用振蕩器的蓋子(金屬蓋)9通過電阻焊等封蓋。在這種情況下,振蕩器的底?板7與在振蕩器的蓋子9的外周邊上伸出的凸緣10相結(jié)合以將其氣密地密封。?
如圖3A所示,在晶體單元1中,從晶體元件1A的激勵(lì)電極1x延伸的引出電極1y的兩端部由連接于金屬底板11的一對(duì)引線(氣密端子)12的支撐件12a保持。于是,金屬底板11和金屬蓋13的凸緣14通過與上述相同方式的電阻焊而結(jié)合,以氣密地密封晶體元件1A。晶體元件1A形成為,例如,SC切割晶體元件或AT切割晶體元件,并且具有其極限值為大約80℃的頻率-溫度特性。例如,在AT切割晶體元件中,頻率-溫度特性示出三次曲線(圖3B中的曲線A),而在SC切割晶體元件中,頻率-溫度特性示出二次曲線(圖3B中的曲線B)。順便提及,頻率偏移Δf/f沿著圖的縱坐標(biāo)畫出,其中f是在室溫下的頻率,Δf是與室溫下的頻率f的頻率差。?
振蕩器輸出電路2包括用作振蕩器電路的振蕩級(jí)2a和具有緩沖放大器等的緩沖級(jí)2b。振蕩級(jí)2a形成為具有未示出的分壓電容器和用于振蕩的晶體管的柯匹茲型電路,它們與晶體單元1一起形成諧振電路。在這里,例如,振蕩級(jí)2a形成為在振蕩回路中具有電壓控制的電容元件4Cv的電壓控制型電路。在圖中,Vcc是電源,Vout是輸出,而Vc是控制電壓。?
在溫度控制電路3中,由溫度感測(cè)元件(例如,熱敏電阻)4th和電阻器4R1檢測(cè)的感溫電壓Vt施加于運(yùn)算放大器40A的一個(gè)輸入端,而由電阻器4R2和4R3檢測(cè)的參考電壓Vr施加于另一個(gè)輸入端。于是,參考電壓Vr和感溫電壓Vt之間的差分電壓施加于功率晶體管4Tr的基極,并且來自電源Vcc的電力施加于用作加熱元件的片式電阻器4h(加熱電阻器的一個(gè)例子)(下文中叫做加熱電阻器)。據(jù)此,到加熱電阻器4h的電力用與溫度相關(guān)的溫度感測(cè)元件4th的電阻值來控制,以保持晶體單元1的工作溫度恒定。在室溫或高于室溫下的工作溫度大約是80℃,該80℃為最小值或最大值(見圖3B,該80℃為圖3B的?曲線A的最小值,并且為圖3B的曲線B的最大值)。?
如圖2所示,電路基板5由例如玻璃環(huán)氧樹脂基板構(gòu)成,并且未示出的電路圖案形成在該電路基板5上,而且包括晶體單元1的相應(yīng)的電路元件4安裝在兩個(gè)主表面上。于是,電路基板5由振蕩器的底板的引線8保持。在這個(gè)例子中,晶體單元1、以及溫度控制電路3中的加熱電阻器4h、功率晶體管4Tr和溫度感測(cè)元件4th安裝在電路基板5的一側(cè)板平面上。電路基板5的該一側(cè)板平面(底面)設(shè)置在振蕩器的底板7的一側(cè)處,而其另一側(cè)板平面(頂面)設(shè)置在振蕩器的蓋子9的一側(cè)處。?
晶體單元1的主表面面向電路基板5的一側(cè)板平面,以接觸例如安裝在電路基板的中心區(qū)上的兩個(gè)加熱電阻器4h。于是,這對(duì)引線12被彎曲以穿過電路基板5,以用未示出的焊料等牢固地固定在另一側(cè)板平面處。功率晶體管4Tr設(shè)置在晶體單元1的外側(cè),并且溫度感測(cè)元件4th安裝在加熱電阻器4h之間。這些晶體單元1和電路元件4h、4Tr和4th用導(dǎo)熱樹脂15覆蓋。在這里,與溫度相關(guān)以逐漸改變其特性的電壓控制的電容元件4Cv安裝在加熱電阻器4h之間。?
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