[發明專利]槽式晶體硅濕法制絨設備

有效

• 申請號: 200910177108.7
• 申請日: 2009-09-25
• 公開（公告）號: CN101654809A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 耿彪
• 申請（專利權）人: 耿彪
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種槽式晶體硅濕法制絨設備，具體地說，涉及的是一種 半導體晶體硅及太陽能電池制造技術領域中的晶體硅槽式濕法制絨處理設 備。

背景技術

在半導體硅及太陽能電池制造中，槽式濕法制絨工藝是對晶體硅片表 面進行濕法蝕刻，形成微溝，降低硅片表面的反射率，促使太陽光在硅片 表面進行多次反射，以達到提升光的利用率。在太陽能晶體硅電池的制備 工藝中，槽式濕法制絨工藝是關系到硅太陽能電池表面的光吸收的重要部 分，也是提高太陽能電池轉換效率的重要途徑之一。在晶體硅槽式濕法制 絨工藝中，槽式濕法制絨處理設備是非常重要的一部份，通常現有晶體硅 槽式濕法制絨處理設備存在以下幾個問題：1)在處理大量的被處理物時， 很難做到使所有被處理物表面的溫度、藥液濃度達到均勻；2)很難保證 被處理物處理完畢后表面的均勻性，難以保障刻蝕后的表面質量；3)不僅 給設備小型化帶來了障礙，也存在下面噴淋過程中達不到完全噴淋等問題； 4)難實現從下到上的均勻層流化，還會在槽下部、中部以及硅片表面形成 亂流或滯流區域；5)通過化學處理去除的異物，根據化學反應之后其釋出 物的比重及形狀差，很難高效率的向外排出。

發明內容

本發明要解決的技術問題是，提供了一種可以確保槽式濕法制絨過程 中晶體硅片表面溫度和藥液濃度均勻的晶體硅槽式濕法制絨機。

為實現以上目的，本發明提供了一種槽式晶體硅濕法制絨設備，包括 藥液循環系統、藥液濃度管理系統、藥液溫度控制系統，三者通過回水管 路順序連接。

上述方案中，所述藥液循環系統包括工藝槽，所述工藝槽由內槽與外 槽組成，所述內槽設置于外槽中。

上述方案中，所述內槽上方設置有孔板，所述內槽底部設有注入口、 循環口和排液口，所述內槽頂部四面設有溢流U型槽，所述內槽內壁設有 多數個通孔，所述內槽外壁設置有流量調節板(手動或自動)。

上述方案中，所述通孔的孔徑大小和工藝槽液面的高度成正比例變化， 隨著液面高度的變化，上通孔直徑大于下通孔直徑。

由于采用了上述技術方案，本發明在處理大量的晶體硅片時，可以確 保所有晶體硅片表面整體的溫度、藥液濃度達到均勻；保證晶體硅片處理 完畢后表面的均勻性，并且提高蝕刻后的表面質量；改善濃度及溫度不均 勻的問題，且噴淋過程中達到完全噴淋；可以避免造成滯流部分的溫度、 濃度不均勻，從而降低滯流部分顆粒對被處理物的污染；保證槽內晶體硅 片的清潔度。

附圖說明

圖1為本發明的工藝槽的主剖視圖；

圖2為本發明的工藝槽的仰視圖；

圖3為本發明的工藝槽的俯視圖；

圖4為本發明的工藝槽的側剖視圖；

圖5為本發明的總體原理圖。

圖中：工藝槽1，通孔板2，循環口3，流量調節板5，內槽4，外槽6， 注入口7，排液口8，通孔9。

具體實施方式

以下結合附圖和實施例對本發明作進一步說明，以下的描述僅用于理 解本發明技術方案之用，不用于限定本發明的范圍。

如圖1-4所示，一種槽式晶體硅濕法制絨設備，包括藥液循環系統、 藥液濃度管理系統、藥液溫度控制系統，三者通過回水管路順序連接，上 述濕法蝕刻制絨設備至少要具備溫度控制系統、藥液濃度管理系統，并具 備全部系統的自動閉環控制功能。所述藥液循環系統包括工藝槽1，所述 工藝槽1由內槽4與外槽6組成，所述內槽4設置于外槽6中。上述內槽 4與外槽6所構成的工藝槽1和蝕刻液循環用的儲存罐構成的一體化蝕刻 液循環系統，即藥液循環系統。內槽4下部設有液體的注入口7、循環口3 和排液口8，所述內槽4上方設置有通孔板2，所述內槽4頂面設有溢流U 型槽，以及內槽2四壁側面開一定數量的通孔9，從通孔9中連續排出藥 液并可以達到循環。

在所述內槽4帶孔壁面的外側設置可控制用的流量調節板(手動或自動)5。 基于上述槽式濕法制絨工藝槽的結構，槽內進行制絨工藝處理時，由于側 壁開孔上下按正比例變化并在外部配備了流量調節板(手動或自動)5，以 及內槽4底部具備排液口8，所以可達到從內槽4下部到上部錯開時間排 液以及側壁排液量可控。