[發明專利]使用絕緣膜保護半導體芯片的側壁

有效

• 申請號: 200910176623.3
• 申請日: 2009-09-23
• 公開（公告）號: CN101685794A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 郭彥良;黃永盛;林裕庭;陳建宜
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/302;H01L27/04
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所
• 代理人: 梁 永

1.一種形成集成電路結構的方法，所述方法包括：

提供晶片，所述晶片包括：

第一半導體芯片；

第二半導體芯片；以及

切割槽，在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間并且與所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片鄰接；

在所述切割槽中形成凹槽，其中，所述凹槽的底部不高于所述晶片中的半導體襯底的頂面；

在所述晶片之上形成第一絕緣膜，其中，所述第一絕緣膜延伸至所述凹槽；

將所述第一絕緣膜的一部分從所述凹槽的中心移除，其中，所述第一絕緣膜的剩余部分包括所述凹槽中的邊緣；

在所述晶片之上并且在所述第一絕緣膜之下形成第二絕緣膜，其中，所述第二絕緣膜延伸至所述凹槽，將所述第二絕緣膜的一部分從所述凹槽的中心移除，其中，所述第二絕緣膜的剩余部分包括所述凹槽中的邊緣；

其中，所述第一絕緣膜的所述邊緣向所述切割槽的中心延伸得比所述第二絕緣膜的所述邊緣遠，以及

切開所述晶片，使得所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片分離。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述切開的步驟之后，所述第一絕緣膜的剩余部分的邊緣基本上平行于由所述切開的步驟產生的半導體襯底的邊緣，并且與所述切開的步驟產生的半導體襯底的邊緣垂直地不重合。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，

形成所述凹槽的步驟由刀片執行，所述凹槽具有傾斜側壁；或者

形成所述凹槽的步驟由激光器執行，并且其中，所述凹槽具有基本垂直的側壁。

4.一種形成集成電路結構的方法，所述方法包括：

提供晶片，所述晶片包括：

半導體襯底；

互連結構，在所述半導體襯底之上；

第一半導體芯片，包括所述半導體襯底的第一部分和所述互連結構的第一部分；

第二半導體芯片，包括所述半導體襯底的第二部分和所述互連結構的第二部分；以及

切割槽，在所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片之間并且與所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片鄰接；

在所述切割槽中形成凹槽，其中，所述凹槽從所述晶片的頂面延伸至所述半導體襯底的頂面之下，并且基本從所述切割槽的一端延伸至對端；

在所述晶片之上形成第一絕緣膜，其中，所述第一絕緣膜延伸至所述凹槽；

圖案化所述第一絕緣膜，以將所述第一絕緣膜的一部分從所述凹槽的中心移除，其中，所述第一絕緣膜的剩余部分包括所述凹槽中的第一邊緣；

在所述第一絕緣膜之上形成第二絕緣膜，其中，所述第二絕緣膜延伸至所述凹槽中；

圖案化所述第二絕緣膜，以將所述第二絕緣膜的一部分從所述凹槽的中心移除，其中，所述第二絕緣膜的剩余部分包括所述凹槽中的第二邊緣；

其中，所述第二絕緣膜的所述邊緣向所述切割槽的中心延伸得比所述第一絕緣膜的所述邊緣遠，以及

切開所述晶片，使得所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片分離。

5.根據權利要求4所述的方法，進一步包括

形成多個凹槽，每個凹槽均在所述晶片中的多個切割槽中的一個中，并且其中，多個所述凹槽中的每個凹槽均基本從多個所述切割槽中的相應一個切割槽的一端延伸至對端；

在所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間形成重新分布槽，在所述晶片的頂面上形成焊錫球，其中，所述焊錫球通過所述第二絕緣膜中的開口電連接至所述重新分布槽。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，在所述切開的步驟期間，所述切開的切口水平地位于所述第一半導體芯片和第二半導體芯片的所述第一邊緣和所述第二邊緣之間并且與所述第一邊緣和所述第二邊緣分離；

在所述圖案化所述第二絕緣膜的步驟之后，所述第二絕緣膜的剩余部分覆蓋所述第一絕緣膜的所述第一邊緣；以及

在所述圖案化所述第二絕緣膜之后，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間的界面被暴露于所述凹槽；

其中，所述形成所述凹槽的步驟由刀片執行，并且其中，所述凹槽具有傾斜側壁；或者所述形成所述凹槽的步驟由激光器執行，并且其中，所述凹槽具有基本垂直的側壁。