[發明專利]加工裝置有效
| 申請號: | 200910175727.2 | 申請日: | 2009-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN101714498A | 公開(公告)日: | 2010-05-26 |
| 發明(設計)人: | 大宮直樹;增田幸容 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/68;H01L21/304;B23K26/00;B23K26/42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及對半導體晶片進行加工的加工裝置,特別涉及加工裝置 的對準攝像部的機構。
背景技術
在半導體器件制造工藝中,通過將下述半導體晶片沿著間隔道 (street,切斷預定線)切斷來分割成每個器件而制造各個半導體芯片, 該半導體晶片在大致圓盤形狀的半導體晶片的表面上通過排列成格子狀 的間隔道而劃分出多個區域,并在劃分出的各區域上形成有IC(集成電 路)、LSI(大規模集成電路)等器件。
將半導體晶片沿著間隔道切斷通常是由被稱為切片機的切削裝置來 進行的。除了使用切削裝置的切割方法以外,還開發出使用對于半導體 晶片具有透射性的波長的脈沖激光的激光切割法。
在該激光切割法中,對于半導體晶片等被加工物(工件)具有透射 性的波長的脈沖激光將聚光點對準被加工物的內部而沿著間隔道進行照 射,從而在被加工物內部形成變質層,沿著由于形成變質層而使強度下 降的間隔道施加外力,從而分割成各個芯片(例如,參照日本特許第 3408805號公報和日本特開平10-305420號公報)。
在使用這些加工裝置對被加工物進行加工時,以被加工物的正面(形 成有電路圖案的面)朝上的方式在卡臺上安置被加工物,使用設置在卡 臺上方的、包含可見光照相機等攝像單元的對準單元來檢測間隔道并實 施對準,通過將切削刀片或激光照射頭定位在間隔道上來實施加工。
然而,有時以被加工物的正面向下、背面向上的方式將被加工物安 置在卡臺上實施加工。例如,使用激光對在藍寶石基板上形成了發光器 件的LED芯片等進行加工時,有可能導致發光器件層的特性劣化,因此 優選使激光束從未形成有器件的背面側入射。
并且,對于在正面形成有細微結構物的一部分MEMS(Micro?Electro Mechanism?Systems,微機電系統)而言,由刀片切割引起的加工中的切 削水可能會損壞正面的結構物,因此有時將結構物側貼附在保持帶上而 從背面側進行加工。
而且,在對CCD和CMOS等攝像器件等、會由于器件上附著切屑 而導致器件不良的被加工物進行刀片切割的情況下,同樣有時也將正面 貼附在保持帶上而從背面側進行加工。
因此,提出了使用IR(紅外)照相機的方法,作為即使像這樣以電 路圖案和間隔道的形成面向下的方式進行保持而從背面側進行加工的情 況下,也能夠實施對準的方法(日本特開平6-232255號公報和日本特 開平10-312979號公報)。
【專利文獻1】日本特許第3408805號公報
【專利文獻2】日本特開平10-305420號公報
【專利文獻3】日本特開平6-232255號公報
【專利文獻4】日本特開平10-312979號公報
然而,在加工在對準圖案的某層上具有如金屬層那樣的不透光層的 被加工物的情況下,或者從背面加工背面具有金屬層的被加工物的情況 下,即使使用IR照相機從金屬層側拍攝,也無法檢測對準圖案或間隔道, 不能實施對準。
發明內容
本發明正是鑒于上述問題而完成的,其目的在于,提供一種即使在 對加工單元與攝像對象物之間存在不透光層的被加工物進行加工的情況 下,也能實施對準而不對被加工物的結構和材質產生影響的加工裝置。
根據本發明,提供了一種加工裝置,其特征在于,該加工裝置具有: 保持單元,其具有對工件進行保持的、由透明體形成的保持部;加工單 元,其對由該保持單元保持的所述工件進行加工;加工進給單元,其使 所述保持單元和所述加工單元在與所述保持部的表面平行的X軸方向以 及與該X軸方向垂直的Y軸方向上相對地進給;以及攝像單元,其透過 所述保持部對由所述保持單元保持的所述工件進行拍攝,該攝像單元包 括:對所述工件進行拍攝的攝像機構;以及攝像機構進給單元,其使該 攝像機構相對于所述保持部,在所述X軸方向和Y軸方向上進行相對的 進給,通過所述加工進給單元使該攝像單元與該保持單元一體地進給。
優選的是,攝像機構具有倍率不同的至少2個以上的攝像照相機,2 個以上的攝像照相機拍攝保持部的同一部位。優選的是,攝像機構具有 至少1個以上的IR攝像照相機。
優選的是,加工裝置還具有第2攝像單元,該第2攝像單元從保持 部的相反側對由保持單元保持的工件進行拍攝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





