[發明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910175193.3
• 申請日: 2009-10-20
• 公開（公告）號: CN101694839A
• 公開（公告）日: 2010-04-14
• 發明（設計）人: 陳昱丞;林志宏;李怡慧
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28;G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種陣列基板，其特征在于，所述的陣列基板包括：

一薄膜晶體管，其包括一柵極、一源極以及一漏極；

一保護層，覆蓋所述的薄膜晶體管；

一像素電極，位于所述的保護層上，其中，在所述的保護層和像素電極中形成一第一接觸窗開口，暴露出所述的漏極；

一第一連接層，位于所述的像素電極上并填入所述的第一接觸窗開口，其電連接所述的像素電極與所述的漏極；以及

一第一間隙物，位于所述的第一連接層上，所述的第一間隙物對應設置于所述的第一接觸窗開口的上方。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述的第一間隙物與所述的第一連接層具有相同的圖案輪廓。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述的陣列基板還包括一底切結構，位于所述的第一間隙物與所述的第一連接層之間。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述的陣列基板還包括：

一第一導電結構；

一絕緣層；覆蓋所述的第一導電結構；

一第二導電結構，位于所述的絕緣層上；

一第二連接層，位于所述的保護層上，其電連接所述的第一導電結構以及所述的第二導電結構；以及

一第二間隙物，覆蓋所述的第二連接層。

5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述的第二間隙物與所述的第二連接層具有相同的圖案輪廓。

6.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述的陣列基板還包括一底切結構，位于所述的第二間隙物與所述的第二連接層之間。

7.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述的第二連接層與所述的第一連接層的材質為金屬或是透明導電材料。

8.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述的第一間隙物以及所述的第二間隙物包括有機感光材料。

9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括：

在一基板上形成一薄膜晶體管，其包括一柵極、一源極以及一漏極；

依序形成一保護層以及一像素電極材料層，覆蓋所述的薄膜晶體管；

在所述的像素電極材料層以及所述的保護層中形成一第一接觸窗開口，暴露出所述的漏極；

圖案化所述的像素電極材料層以定義出一像素電極；

形成一連接材料層，覆蓋所述的像素電極并填入所述的第一接觸窗開口；

在所述的連接材料層上形成一第一間隙物，其中所述的第一間隙物對應設置于所述的第一接觸窗開口的上方；以及

以所述的第一間隙物為罩幕移除未被所述的第一間隙物覆蓋的所述的連接材料層，以形成一第一連接層，使所述的像素電極與所述的漏極電連接。

10.如權利要求9所述的制造方法，特征在于，所述的形成所述的薄膜晶體管的方法包括：

形成所述的柵極；

依序形成一絕緣層、一半導體層以及一導電層，覆蓋所述的柵極；

在所述的導電層上形成一光阻層，所述的光阻層具有一較薄部分以及一較厚部分，所述的較薄部分對應設置于所述的柵極上方的所述的導電層上；

以所述的光阻層為罩幕圖案化所述的導電層以及所述的半導體層；

移除所述的光阻層的較薄部分，留下所述的較厚部分；

以所述的光阻層的較厚部分為罩幕移除未被所述的較厚部分遮蓋的所述

的導電層，以定義出一源極以及一漏極；以及

移除所述的光阻層的較厚部分。

11.如權利要求9所述的制造方法，特征在于，所述的形成所述的第一接觸窗開口以及定義出所述的像素電極的方法包括：

在所述的像素電極材料層上形成一光阻層，其暴露出所述的漏極上方的所述的像素電極材料層，且具有一較薄部分以及一較厚部分，所述的較薄部分對應設置于所述的柵極以及所述的源極的上方；

以所述的光阻層為罩幕移除部分所述的像素電極材料層以及所述的保護層，以形成暴露出所述的漏極的所述的第一接觸窗開口；

移除所述的光阻層的較薄部分；

以所述的光阻層的較厚部分為罩幕圖案化所述的像素電極材料層，以定義出所述的像素電極；以及

移除所述的光阻層的較厚部分。