[發明專利]光掩模制造方法以及光掩模

無效

• 申請號: 200910174246.X
• 申請日: 2009-09-25
• 公開（公告）號: CN101685254A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 佐野道明;早瀬三千彥
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/14
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

技術領域

本發明涉及半導體裝置制造等中使用的光掩模的制造方法以及光掩模。

背景技術

半導體裝置制造等中使用的光掩模例如是二值掩模的情況下，在透明基板上遮光膜形成圖案狀。這種光掩模是經過如下工序來制造的，即：準備在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯體的工序；對形成在所述遮光膜上的抗蝕劑膜進行構圖來形成抗蝕劑圖案的工序；以及將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述遮光膜進行蝕刻并形成遮光膜圖案的工序。

但是，對于上述光掩模，不能避免在其制造過程中在遮光膜圖案上產生缺陷。另外，此處將由膜圖案的過剩和異物附著引起的缺陷稱為黑缺陷，由膜圖案的不足引起的缺陷稱為白缺陷。

對形成在光掩模上的遮光膜圖案進行缺陷檢查，當存在白缺陷、黑缺陷時，通常考慮例如使用激光CVD法或者聚焦離子束(FIB)法等來進行局部的膜修正。即在白缺陷的部分，可以通過局部地形成修正膜來進行適當的修正。另一方面，作為黑缺陷的修正方法，通常是利用FIB或激光例如使遮光膜成分脫落并將其去除的方法。

但是，對于以往通常的黑缺陷修正方法，雖然能夠修正微小的黑缺陷區域，但在較大的黑缺陷區域的情況下，利用以往的黑缺陷修正方法進行修正非常花費時間且效率低下。另外，對于以往通常的黑缺陷修正方法，脫落的異物容易附著在缺陷周圍的正常部分(透光部分)，需要再次修正。

發明內容

本發明是鑒于上述現有問題而完成的，其第一個目的在于提供一種具有即使是較大黑缺陷也能夠高效且精度良好地進行修正的缺陷修正工序的光掩模制造方法以及光掩模。

本發明的第二目的在于提供一種能夠定量地評價在光掩模的缺陷修正階段中產生的對準偏差的光掩模制造方法以及光掩模。

為了解決上述課題，本發明具有如下結構。

(結構1)

一種光掩模制造方法，其包括：準備在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯體的工序；對形成在所述遮光膜上的抗蝕劑膜進行構圖來形成抗蝕劑圖案的工序；將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述遮光膜進行蝕刻并形成遮光膜圖案的工序；以及對形成的遮光膜圖案進行缺陷檢查，當存在由過剩物引起的黑缺陷時對該缺陷部分進行修正的工序，該光掩模制造方法的特征在于，對所述缺陷部分進行修正的工序包括以下工序：確定所述缺陷部分的工序；在所述光掩模上再次形成抗蝕劑膜的工序；在包含所述缺陷部分的規定區域內，進行描繪圖案數據的圖案描繪，在描繪后進行顯影來形成修正用抗蝕劑圖案的工序，其中該描繪圖案數據是基于所述確定的缺陷部分的位置和形狀而制作的；以及將所述修正用抗蝕劑圖案作為掩模來實施蝕刻，去除所述缺陷部分的過剩物的工序；所述抗蝕劑圖案包括第一標記，所述修正用抗蝕劑圖案包括第二標記，并且所述光掩模制造方法還具有：在形成所述修正用抗蝕劑圖案后或者在去除所述缺陷部分的過剩物的工序后的至少任意一方進行檢查的工序，該進行檢查的工序包括下述工序：在形成所述修正用抗蝕劑圖案后進行檢查的情況下，測定與所述第一標記對應的遮光膜圖案的邊緣和所述修正用抗蝕劑圖案中的第二標記的邊緣之間的距離；在去除所述缺陷部分的過剩物的工序后進行檢查的情況下，測定與所述第一標記對應的遮光膜圖案的邊緣和與所述第二標記對應的遮光膜圖案的邊緣之間的距離，并檢查所述距離是否在規定范圍內。

(結構2)

結構1所述的光掩模制造方法的特征在于，關于所述第一標記和在實施對所述缺陷部分進行修正的工序時形成的所述第二標記，當將其形成在所述透明基板上時，是一個標記的外形包含在另一個標記的外形內部的形狀的組合。

(結構3)

結構2所述的光掩模制造方法的特征在于，所述第一標記和所述第二標記具有在一個方向和與該方向垂直的方向上均對稱的形狀的圖案。

(結構4)

結構2或3所述的光掩模制造方法的特征在于，所述第一標記的外形和所述第二標記的外形是相似形狀。

(結構5)

結構2至4的任意一項所述的光掩模制造方法的特征在于，所述第一標記和所述第二標記均包含矩形圖案。

(結構6)

結構1至5的任意一項所述的光掩模制造方法的特征在于，所述檢查工序是通過對所述光掩模照射光并接收其透射光來進行的。

(結構7)

結構1至5的任意一項所述的光掩模制造方法的特征在于，所述檢查工序是通過對所述光掩模照射光并接收其反射光來進行的。

(結構8)