[發(fā)明專利]光掩模制造方法以及光掩模無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910174246.X | 申請(qǐng)日: | 2009-09-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101685254A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐野道明;早瀬三千彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | HOYA株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/00 | 分類號(hào): | G03F1/00;G03F1/14 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光掩模 制造 方法 以及 | ||
1.一種光掩模制造方法,其包括:準(zhǔn)備在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯體的工序;對(duì)形成在所述遮光膜上的抗蝕劑膜進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成抗蝕劑圖案的工序;將所述抗蝕劑圖案作為掩模對(duì)所述遮光膜進(jìn)行蝕刻并形成遮光膜圖案的工序;以及對(duì)形成的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢查,當(dāng)存在由過(guò)剩物引起的黑缺陷時(shí)對(duì)該缺陷部分進(jìn)行修正的工序,該光掩模制造方法的特征在于,
對(duì)所述缺陷部分進(jìn)行修正的工序包括以下工序:
確定所述缺陷部分的工序;
在所述光掩模上再次形成抗蝕劑膜的工序;
在包含所述缺陷部分的規(guī)定區(qū)域中,進(jìn)行基于描繪圖案數(shù)據(jù)的圖案描繪,在描繪后進(jìn)行顯影來(lái)形成修正用抗蝕劑圖案的工序,其中所述描繪圖案數(shù)據(jù)是根據(jù)所述確定的缺陷部分的位置和形狀而制作的;以及
將所述修正用抗蝕劑圖案作為掩模來(lái)實(shí)施蝕刻,去除所述缺陷部分的過(guò)剩物的工序,
所述抗蝕劑圖案包括第一標(biāo)記,所述修正用抗蝕劑圖案包括第二標(biāo)記,
所述光掩模制造方法還具有:在形成所述修正用抗蝕劑圖案后或者在去除所述缺陷部分的過(guò)剩物的工序后的至少任意一方進(jìn)行檢查的工序,
該進(jìn)行檢查的工序包括下述工序:
在形成所述修正用抗蝕劑圖案后進(jìn)行檢查的情況下,測(cè)定與所述第一標(biāo)記對(duì)應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣和所述修正用抗蝕劑圖案中的第二標(biāo)記的邊緣之間的距離;
在去除所述缺陷部分的過(guò)剩物的工序后進(jìn)行檢查的情況下,測(cè)定與所述第一標(biāo)記對(duì)應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣和與所述第二標(biāo)記對(duì)應(yīng)的遮光膜圖案的邊緣之間的距離,并檢查所述距離是否在規(guī)定范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模制造方法,其特征在于,
關(guān)于所述第一標(biāo)記和在實(shí)施對(duì)所述缺陷部分進(jìn)行修正的工序時(shí)形成的所述第二標(biāo)記,當(dāng)將其形成在所述透明基板上時(shí),是一個(gè)標(biāo)記的外形包含在另一個(gè)標(biāo)記的外形內(nèi)部的形狀的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光掩模制造方法,其特征在于,
所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記具有在一個(gè)方向和與該方向垂直的方向上均對(duì)稱的形狀的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光掩模制造方法,其特征在于
所述第一標(biāo)記的外形和所述第二標(biāo)記的外形是相似形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光掩模制造方法,其特征在于
所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記均包含矩形圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的光掩模制造方法,其特征在于,
所述檢查工序是通過(guò)對(duì)所述光掩模照射光并接收其透射光來(lái)進(jìn)行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的光掩模制造方法,其特征在于,
所述檢查工序是通過(guò)對(duì)所述光掩模照射光并接收其反射光來(lái)進(jìn)行的。
8.一種在透明基板上具有遮光膜圖案的光掩模,該光掩模是通過(guò)使用包含描繪工序的構(gòu)圖工序在形成在透明基板上的遮光膜上形成圖案從而制造的,該光掩模的特征在于,
該光掩模具有通過(guò)包含所述描繪工序的構(gòu)圖而形成在遮光膜上的第一標(biāo)記,
對(duì)形成在該光掩模上的遮光膜圖案進(jìn)行缺陷檢查,當(dāng)存在由過(guò)剩物引起的黑缺陷時(shí),通過(guò)包含描繪工序的構(gòu)圖來(lái)對(duì)該缺陷部分進(jìn)行修正,
所述第一標(biāo)記是這樣的矩形圖案:該第一標(biāo)記與通過(guò)包含用于對(duì)所述缺陷部分進(jìn)行修正的第二次描繪工序的構(gòu)圖而形成在遮光膜或抗蝕劑膜上的第二標(biāo)記之間的關(guān)系是一個(gè)標(biāo)記的外形包含在另一個(gè)標(biāo)記的外形內(nèi)部,使得能夠通過(guò)測(cè)定所述第一標(biāo)記與所述第二標(biāo)記之間的距離并檢查所述距離是否在規(guī)定范圍內(nèi),來(lái)評(píng)價(jià)第二次描繪的對(duì)準(zhǔn)偏差。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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