[發明專利]抑制背景鍍覆有效
| 申請號： | 200910173391.6 | 申請日： | 2009-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN101667606A | 公開（公告）日： | 2010-03-10 |
| 發明（設計）人： | R·K·巴爾;H·董;T·C·舒特 | 申請（專利權）人： | 羅門哈斯電子材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 樊云飛 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抑制 背景 鍍覆 | ||
1.一種抑制背景鍍覆的方法，包括：
a)提供包括n摻雜正面和p摻雜背面的摻雜半導體，和覆蓋該摻雜半導體 的n摻雜正面的介電層；
b)在介電層上選擇性沉積具有30％或更高的透光率的相變阻擋物，以在介 電層上形成圖案；
c)蝕刻掉介電層上沒有被相變阻擋物覆蓋的部分，從而將摻雜半導體的n 摻雜正面的一部分暴露；
d)沉積金屬晶種層到摻雜半導體n摻雜正面的暴露部分；且
e)通過光誘導的鍍覆在金屬晶種層沉積金屬層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述相變阻擋物包括一種或多 種蠟。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述相變阻擋物包括一種或多 種聚酰胺樹脂。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻使用酸或緩沖氧化物 完成。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述相變阻擋物通過噴墨打印、 氣溶膠噴涂、絲網印刷或光刻進行選擇性沉積。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬晶種層是鎳、鈀或銀。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層是銅或銀。
8.如權利要求1所述的方法，進一步包括固化相變阻擋物的步驟。
9.如權利要求1所述的方法，進一步包括剝離相變阻擋物的步驟。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述相變阻擋物以液體、或 半固體或凝膠狀態沉積。
11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述相變阻擋物以凝膠狀態 沉積。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
