[發(fā)明專利]氧化的共形覆蓋層

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910173342.2
• 申請日: 2009-07-23
• 公開（公告）號: CN101685639A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·D·哈克尼斯四世;Z·S·吳
• 申請（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/62
• 分類號: G11B5/62;G11B5/72;G11B5/84
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 項 丹

背景技術(shù)

相比于縱向介質(zhì)，垂直記錄介質(zhì)正被開發(fā)用于高密度記錄。薄膜垂直磁記 錄介質(zhì)包括襯底和具有垂直磁各向異性的磁性層，其中的磁性層包括基本上沿 著垂直于磁性層平面的方向取向的易磁化軸。通常，該薄膜垂直磁記錄介質(zhì)包 括硬NiP鍍覆的Al合金襯底，或者可選地為玻璃或者玻璃-陶瓷襯底，和接連 的濺鍍層。該濺鍍層可以包含一層或多層底基層，一層或多層磁性層，和保護 性覆層。該保護性覆層通常是碳保護覆層，其保護磁性層避免被腐蝕和氧化， 并且也減少了在圓盤和讀/寫磁頭之間的摩擦力。此外，滑潤劑薄層可以被涂覆 至保護性覆層的表面，通過減少保護性覆層的摩擦和磨損以改善磁頭-圓盤界面 的摩擦學(xué)性能。

顆粒狀垂直記錄介質(zhì)正被開發(fā)，因為相比于受限于磁性晶粒之間存在的強 交換耦合的傳統(tǒng)垂直磁記錄介質(zhì)，其能夠進一步擴大單位面積的記錄密度。與 其中的磁性層通常是在惰性氣體存在下、最常見的是氬氣(Ar)存在下被濺射的傳 統(tǒng)垂直介質(zhì)相反，顆粒狀垂直磁性層的沉積使用反應(yīng)性濺射技術(shù)，其中氧被導(dǎo) 入，例如，以Ar和O₂的氣體混合物形式。不期望受限于理論，相信O₂的導(dǎo)入 提供了氧源，其遷移進入晶界，在晶界中形成氧化物，從而提供了顆粒狀的垂 直結(jié)構(gòu)，其具有減少的晶粒間的交換耦合。

用于制備顆粒狀垂直記錄介質(zhì)的工藝和原料產(chǎn)生了傾向于嚴重腐蝕的微結(jié) 構(gòu)。為了減少整個保護覆層的厚度并保持其腐蝕性能，有時候需要將覆蓋層與 碳保護覆層聯(lián)合使用。傳統(tǒng)的方法包括施加金屬覆蓋層，并有意而控制地氧化 覆蓋層表面。這種方法的主要缺點是存在經(jīng)常地(如果不是一直地)不完全的表面 覆蓋，使得表面易于出現(xiàn)點蝕。

該問題的解決辦法是更厚的覆蓋層或碳保護覆層以改善表面的覆蓋。然而， 更厚的膜層對記錄性能是有害的。從而，存在著對能均勻地覆蓋整個表面的耐 腐蝕覆蓋層的需求，以阻止環(huán)境物質(zhì)在局部的積聚和腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及具有覆蓋層的磁記錄介質(zhì)，其中的覆蓋層含有具備高表面遷移 率和低表面能的材料。

本發(fā)明的一個實施方案是以如下順序包含有襯底、顆粒磁性層、覆蓋層、 和直接置于覆蓋層上的含碳或含硅的保護覆層的磁記錄介質(zhì)，其中的覆蓋層包 含具備高表面遷移率和低表面能的材料。在一個實施方案中，該材料具有低于 2600K的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和低于2.6J/m²的表面能。依照一種變型，該覆蓋層包 含鈍化性氧化物。

在另一個實施方案中，該覆蓋層含有選自下組的材料：體心立方金屬、面 心立方金屬、和其氧化物或合金。例如，該覆蓋層可以含有選自下組的材料： Ti、Cr、Ta、Ag、Cu、其氧化物，和它們的合金。在一個具體實施方案中，該 材料是TiCr或TiO₂。

另一個實施方案是制備磁記錄介質(zhì)的方法，包括依序獲取襯底，沉積顆粒 磁性層，沉積覆蓋層，和直接在磁性覆蓋層上沉積含碳或含硅的保護覆層，其 中的覆蓋層含有具備高表面遷移率和低表面能的材料。

在該實施方案的一個變型中，覆蓋層是濺射沉積至顆粒磁性層上，并且其 表面被氧化。在另一個變型中，覆蓋層是通過濺射沉積氧化物至顆粒磁性層上 而形成。

另一個實施方案是用于磁記錄介質(zhì)的覆蓋層，其含有具備高表面遷移率和 低表面能的材料。

通過下面詳細的說明，本發(fā)明的其他的優(yōu)點對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是 顯而易見的，其中，通過圖解說明預(yù)期實現(xiàn)本發(fā)明的最佳模式，僅展示并描述 了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。正如可被獲知的，本發(fā)明將能夠是其他的和不同的 實施方式，并且其細節(jié)能夠在各個顯而易見的方面進行改動，所有的都不脫離 本發(fā)明。因此，下面的附圖和說明實質(zhì)上應(yīng)被當(dāng)作是舉例而不是限制。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖時，本發(fā)明將參考“具體實施方式”而被更好地理解，其中：

圖1示意性地展示了磁盤記錄介質(zhì)，比較了縱向和垂直磁記錄。

圖2展示了顆粒狀垂直磁記錄介質(zhì)。

圖3展示了依照本發(fā)明的一個方面的覆蓋層，和置于顆粒狀垂直磁性層上 的保護性覆層。

具體實施方式

本發(fā)明涉及具有覆蓋層的顆粒狀垂直磁記錄介質(zhì)，該覆蓋層是由具備高表 面遷移率和低表面能的材料構(gòu)成。具備“高表面遷移率”的材料是具有低于2600K 的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的材料。具備“低表面能”的材料是具有低于2.6J/m²的表面能 的材料。