[發明專利]氧化的共形覆蓋層

無效

• 申請號: 200910173342.2
• 申請日: 2009-07-23
• 公開（公告）號: CN101685639A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: S·D·哈克尼斯四世;Z·S·吳
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/62
• 分類號: G11B5/62;G11B5/72;G11B5/84
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 項 丹

1、一種磁記錄介質，包括：

襯底；

位于襯底上的顆粒磁性層；

位于顆粒磁性層上的覆蓋層；和

位于覆蓋層上的保護覆層，該保護覆層包含碳和硅中的至少一種，

其中，所述覆蓋層包含具有低于2600K的玻璃化轉變溫度和低于2.6J/m²的表面能的材料。

2、如權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述覆蓋層包含鈍化性 氧化物。

3、如權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述材料包含Ti、Cr、 Ta、Ag、Cu和其氧化物中的至少一種。

4、如權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述材料包含TiO₂和 TiCr中的至少一種。

5、一種方法，包括：

在磁記錄層上沉積材料以形成覆蓋層，其中，所述材料具有低于2600K的 玻璃化轉變溫度和低于2.6J/m²的表面能；和

在所述覆蓋層上沉積硅或碳中的至少一種以形成保護覆層。

6、如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在磁記錄層上沉積材料以 形成覆蓋層包括在磁記錄層上沉積材料，而后在該材料已被沉積在磁記錄層上 后氧化該材料。

7、如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述材料包括氧化物材料，其 中，所述磁記錄層上沉積材料以形成覆蓋層包括將材料直接沉積在磁記錄層上 而形成覆蓋層，其通過將氧化物材料濺射在磁記錄層上來實現。

8、如權利要求5、6或7所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層包含鈍化 性氧化物層。