[發明專利]半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 200910173268.4
• 申請日: 2009-09-22
• 公開（公告）號: CN101794071A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/32;H01L21/265;H01L21/28
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

形成一犧牲層于一基材上；

形成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層上；

對該基材進行離子注入；

施予一第一濕式蝕刻溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及

施予一第二濕式蝕刻工藝以移除該犧牲層。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一濕式蝕刻溶液包含一具有臭氧、硫酸及過氧化氫或硫酸及臭氧的蝕刻劑。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，該犧牲層包含一氧化物材料。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中該氧化物材料擇自下列所組成的群：氧化鑭、氧化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁及氧化鎢。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第二濕式蝕刻工藝包含一蝕刻化學品，該蝕刻化學品擇自下列所組成的群：氟化氫、氫氧化銨、氟化銨、水、過氧化氫、硝酸、醋酸、鹽酸、羧酸及界面活性劑。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該基材還包含：

一高介電常數介電材料層；及

一金屬層，位于該高介電常數介電材料層上。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該圖案化光致抗蝕劑層的形成包含：

旋轉涂布一光致抗蝕劑溶液至該基材上；

曝光該光致抗蝕劑層；及

顯影該光致抗蝕劑層，形成一圖案化光致抗蝕劑層，其中該光致抗蝕劑層的顯影還會圖案化該犧牲層。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包含施予一二氧化碳水以圖案化該犧牲層。

9.一種半導體裝置的制造方法，包括：

形成一犧牲層于一基材上；

形成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層上；

對該基材進行離子注入；

施予一化學溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及

施予一酸性溶液以移除該犧牲層。

10.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中該酸性溶液包含鹽酸，其濃度為約1∶1至1∶1000之間且溫度介于約20℃至80℃之間。

11.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中該酸性溶液的施予時間為約5秒至5分鐘。

12.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中該犧牲層包含一材料，該材料擇自下列所組成的群：氧化鑭、氧化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁及氧化鎢。

13.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中該化學溶液包含一蝕刻劑，該蝕刻劑擇自下列所組成的群：以氧化劑為主的溶液、硫酸及過氧化氫、硫酸及臭氧、臭氧、N-甲基砒喀烷酮、環己醇、環戊醇、單甲基醚丙二醇、丙二醇單甲基醚酯。

14.一種半導體裝置的制造方法，包括：

形成一第一金屬層于一基材上；

形成一氧化鑭層于該金屬層上；

形成一圖案化光致抗蝕劑層于該氧化鑭層上；

對該基材進行一工藝；

施予一硫酸及過氧化氫溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及

施予一鹽酸溶液以移除該氧化鑭層。

15.如權利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其中該工藝包含一離子注入工藝或一蝕刻工藝。