[發明專利]半導體芯片及半導體晶片

有效

• 申請號: 200910173258.0
• 申請日: 2009-09-22
• 公開（公告）號: CN101685817A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 國島浩之
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L23/528;H01L21/304
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種半導體芯片，包括：

元件形成區，其形成在基板上；

劃線區，其圍繞所述元件形成區；以及

密封環區，其位于所述元件形成區與所述劃線區之間，并且圍繞 所述元件形成區，

其中，所述元件形成區、所述密封環區和所述劃線區包括在所述 基板上層壓的多個層間介電膜，

其中，所述劃線區的第一邊緣和第二邊緣分別在第一方向和與所 述第一方向交叉的第二方向上延伸，使得所述第一邊緣和所述第二邊 緣在劃線的拐角區域交叉，并且

其中，在所述拐角區域的劃線區中，局部地提供由第一和第二拐 角襯墊以及互連所述拐角襯墊的通孔構成的結構，使得所述第一和第 二拐角襯墊的每一個包括沿著在所述第一邊緣延伸的第一部分和沿著 所述第二邊緣延伸的第二部分以便形成局部地設置在所述劃線的拐角 區域中的L形，其中所述第一和第二拐角襯墊在層壓方向上垂直地夾 持第一層間介電膜。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述元件形成區在 所述多個層間介電膜中具有布線，并且所述劃線區中的所述拐角襯墊 位于與所述布線相同的層中。

3.根據權利要求2所述的半導體芯片，其中，所述拐角襯墊由與 所述布線相同的材料構成。

4.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述多個層間介電 膜被層壓在所述拐角區域中，并且所述層間介電膜中的一些被垂直地 夾持在由所述通孔互連的所述拐角襯墊之間。

5.根據權利要求1所述的半導體芯片，

其中，所述拐角襯墊中的三層或更多層被層壓在所述拐角區域中 的基板上，分別夾持所述層間介電膜；以及

其中，最上層拐角襯墊通過所述通孔與下層中的拐角襯墊相連接。

6.根據權利要求1所述的半導體芯片，

其中，由多孔有機材料制成的多孔介電膜作為所述層間介電膜被 提供在所述拐角區域中的基板上，并且所述多孔介電膜分別由所述拐 角襯墊夾持；以及

其中，夾持最上層多孔介電膜的拐角襯墊由所述通孔來互連。

7.根據權利要求1所述的半導體芯片，

其中，所述拐角襯墊中的三層或更多層被層壓在所述拐角區域中， 分別夾持所述層間介電膜；以及

其中，全部拐角襯墊都由所述通孔來互連。

8.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述結構被分別提 供在所述拐角襯墊中的兩個或更多個中，并且被相互間隔。

9.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，通過所述通孔連接 的所述拐角襯墊包括兩個線性部，所述兩個線性部沿著限定所述拐角 區域的兩條邊緣延伸。

10.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，與所述部分在相 同的方向上延伸的所述通孔被并排布置成多個隊列。

11.根據權利要求9所述的半導體芯片，其中，所述線性部彼此 交叉并且形成L形。

12.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，通過所述通孔連 接的所述拐角襯墊延伸超過與所述拐角區域相鄰近的元件形成區的邊 緣的延長線。

13.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述拐角襯墊布 置在所述半導體芯片的拐角與所述密封環區的拐角之間。

14.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，通過所述通孔連 接的所述拐角襯墊包括面對所述半導體芯片的拐角而延伸的斜線部。