[發明專利]一種磁場力做功模型

無效

• 申請號: 200910173231.1
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN102025293A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 鄭永罡
• 申請（專利權）人: 鄭永罡
• 主分類號: H02N11/00
• 分類號: H02N11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

所屬技術領域：

用于動力領域。

背景技術

根據磁場邊界條件，磁場具有被鐵磁質屏蔽的性質(如圖1)。磁場被鐵磁質屏蔽后的區域磁場強度相對減弱，所以未屏蔽的區域磁場強度比屏蔽區的磁場相對較強。根據這一特點可以得出，被屏蔽的磁場區域和未屏蔽的場區總體形成的區域是一個非保守場。既然是保守場，那就可以指定一個經過屏蔽區和未屏蔽區回路，用一個磁體或鐵磁質沿著這一回路運動，在運動一個完整的回路后，磁場對磁體或鐵磁質做功可以大于零，從而對外界做功。

發明創造的內容

根據磁屏蔽原理，用磁體或鐵磁質在磁場被屏蔽區和未屏蔽區運動，使磁場力在被屏蔽區對磁體或鐵磁質做負功，在未屏蔽區對磁體或鐵磁質做正功，因為屏蔽區磁場強度相對較弱，所以磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。

本發明技術方案是：應用磁屏蔽原理，屏蔽區磁場較弱，未屏蔽區較強，指定一個同時經過屏蔽區和未屏蔽區的回路，使磁場在運動一個完整的回路后，對磁體或鐵磁質做的負功較少，正功較多，從而使總功大于零。根據這一原理，有兩種具體方案：第一種是產生磁場的磁體與起屏蔽作用的物體相對靜止，僅屏蔽磁場的部分區域，一部分未屏蔽，使磁體或鐵磁質在屏蔽區和未屏蔽區運動，可以使磁場力對磁體或鐵磁質做的總功大于零，從而對外界做功。第二種是：磁場交替的處于被屏蔽和未屏蔽兩種狀態，在這兩種狀態中，使磁場在未被屏蔽時對磁體或鐵磁質做正功，而在被屏蔽時磁場做負功，未屏蔽時磁場較強，做正功多，被屏蔽時磁場較弱，做負功少，在一個完整的循環中，總功大于零，從而對外界做功。

應用前景

用于動力領域。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對發明進一步說明。

圖1是一對基本磁元被部分屏蔽后磁場分布區域模型圖。

圖2是一個實際的磁體被部分屏蔽后磁場分布區域圖。

圖3是磁場被部分屏蔽后形成非保守場而對磁體做功模型圖。

圖4是采用磁場通過被屏蔽和未屏蔽狀態交替時對磁體做功模型圖。

圖中1.一對基本磁元，2.起屏蔽作用的鐵磁質，3.磁場未屏蔽區，4.磁場被屏蔽區，5.屏蔽狀態分界面，6.產生磁場的磁體，7.磁場未屏蔽區，8.磁體的一部分被屏蔽區，9.磁場被屏蔽區，10.受磁場力做功的磁體，11.磁體運動的方向，12.磁體運動的回路。

具體實施方式

方式1：如圖3所示，磁體6被屏蔽物2部分屏蔽，磁體10沿著回路12運動，先從未屏蔽區靠近磁場，由于受到引力做正功；然后進入屏蔽區，在屏蔽區遠離磁場受到斥力做負功。由于未屏蔽區磁場較屏蔽區相對強，所以做的正功大于負功，從而對外界做功。

方式2：如圖4所示，這里兩個磁體互為磁場，互為做功。先認為磁體6產生磁場，磁體10受場力做功，兩個磁體同時在被屏蔽時互相靠近，由于都受斥力，場力做負功；然后同時運動到未屏蔽區，互相遠離，都受斥力，場力做正功。由于做正功時磁場較強，總功大于零，從而對外界做功。