[發明專利]一種磁場力做功模型

無效

• 申請號: 200910173231.1
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN102025293A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 鄭永罡
• 申請（專利權）人: 鄭永罡
• 主分類號: H02N11/00
• 分類號: H02N11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種磁場力做功模型，根據磁屏蔽原理，由于磁場在被鐵磁質屏蔽時，被屏蔽后的磁場強度比未屏蔽時的磁場強度減弱，根據這一特點，讓磁體或鐵磁質在磁場被屏蔽區和未屏蔽區運動，使磁場力在未屏蔽或被較少屏蔽時，對運動的磁體或鐵磁質做正功較多，在被屏蔽或被較多屏蔽區時，對運動的磁體或鐵磁質做負功較少，磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。

2.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：起屏蔽作用的物體僅屏蔽磁場的部分區域，一部分未屏蔽，使磁體或鐵磁質在磁場被屏蔽區和未屏蔽區運動，可以使磁場力對磁體或鐵磁質做的總功大于零，從而對外界做功。

3.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：磁場與屏蔽物可以相對運動，磁場具有被屏蔽和未被屏蔽兩種狀態，在這兩種狀態中，使磁場未被屏蔽時對磁體或鐵磁質做正功，而在被屏蔽時磁場做負功，由于磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。

4.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：磁場與屏蔽物體可以相對運動，磁場具有被較多屏蔽和被較少屏蔽兩種狀態，在這兩種狀態中，使磁場在被較少屏蔽時對磁體或鐵磁質做正功，而在被較多屏蔽時磁場做負功，由于磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。

5.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：形成磁場的磁體可以是永磁體或者電磁體構成的裝置。

6.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：在磁場中受磁場力做功的物體可以是永磁體、電磁體或鐵磁質構成的裝置。

7.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：磁場中運動的磁體可以是僅一極在靠近磁場處運動并受場力做功，另一極離磁場較遠，受場力做功很小，同樣可以使磁場做的總功大于零。

8.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：磁場中運動的磁體可以是僅一極沿著指定的回路運動并受場力做功，另一極沿著較小的回路運動或者僅繞一個點轉動，受場力做功很小，同樣可以使磁場做的總功大于零。

9.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：磁場中運動的磁體或鐵磁質可以是受磁場引力，在磁場未屏蔽時接近磁場受場力做正功；在磁場被屏蔽時遠離磁場受磁場力做負功，磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。

10.根據權利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是：磁場中運動的磁體或鐵磁質可以是受磁場斥力，在磁場被屏蔽時接近磁場受磁場力做負功；在磁場不被屏蔽時遠離磁場受場力做正功，磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。