[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

有效

• 申請號: 200910173141.2
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN101673667A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 高橋哲;野內英博;坂田雅和
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/677
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 陳 偉;于英慧

技術領域

本發明涉及基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術

作為基板處理裝置的一例，按照裝載端口、裝載鎖定室、輸送 室和處理室的順序輸送晶片，并在處理室進行處理。

處理室是被閘閥阻擋的獨立空間，在各室中能夠單獨地進行晶 片的處理。

通常，在基板載置臺上進行處理的結構中，在一個室中只進行 一個晶片的處理。專利文獻1公開了一種技術，將未處理的晶片交替 地向處理室輸送，已處理的晶片從各處理室返回到基板支承體時， 更換成下一個要進行處理的未處理晶片。

專利文獻1：日本特開2006-86180號公報

發明內容

以往的基板處理裝置是存放晶片的裝載鎖定室為兩個室、具有 將晶片搬運到各室的機器人的輸送室為一個室、處理晶片的處理室 為兩個室的結構。在本裝置的結構中，要使單位時間的吞吐量超過 200張是困難的。在以進一步提高吞吐量為目標的情況下，單純地向 輸送室外周部增加處理室，能夠實現吞吐量的提高。但是，相對地 輸送室內的輸送機器人就變得大型化，而且由于增加處理室占地面 積(footprint)變大是無法避免的。

本發明的目的是提供一種基板處理裝置和基板處理方法，能夠 實現同時滿足高吞吐量化和省占地面積化這樣相反的條件。

根據本發明的一個方式，提供一種基板處理裝置，具有輸送室 和處理基板的處理室，所述輸送室具有將基板從該輸送室向所述處 理室輸送的第1基板輸送部件，所述處理室具有：與所述輸送室鄰接 的、具有第1基板載置臺的第1處理部；與所述第1處理部中的所述輸 送室一側的不同側鄰接的、具有第2基板載置臺的第2處理部；在所 述第1處理部和所述第2處理部之間輸送基板的第2基板輸送部件；至 少控制所述第2基板輸送部件的控制部。處理室具有第1處理部和第2 處理部，能夠同時進行處理，由此與以往相比，處理張數增加，吞 吐量提高。另外，作為四個反應室保持裝置，與其他公司產品的結 構相比能夠實現省占地面積的配置。

另外，根據本發明的另一方式，提供一種基板處理方法，具有 如下步驟：將至少2張基板向具有第1處理部、第2處理部及載置基板 的基板載置臺的處理室供給的步驟；將所述至少2張基板分別載置在 所述第1處理部的第1基板輸送機構及所述第2處理部的第2基板輸送 機構上的步驟；將基板載置在所述基板載置臺時，相對地控制所述 第1基板輸送機構和所述第2基板輸送機構、或所述基板載置臺的步 驟，以使所述第1基板輸送機構和內置在所述基板載置臺的加熱器之 間的距離、與所述第2基板輸送機構和內置在所述基板載置臺的加熱 器之間的距離相同。由此，第1處理部和第2處理部的各基板與加熱 器的距離相同，加熱條件一致，基板溫度以相同的比例上升。

根據本發明，能夠實現同時滿足高吞吐量化和省占地面積化這 樣相反的條件。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式使用的基板處理裝置的整體結構圖，是 從上方觀察的示意圖。

圖2是本發明的實施方式使用的基板處理裝置的整體結構圖的 縱剖視圖。

圖3是表示本發明的實施方式的基板處理裝置的處理室的立體 圖。

圖4是用于說明本發明的實施方式的基板處理裝置的晶片止擋 件和晶片的位置關系的圖。

圖5是從上方觀察本發明的實施方式的基板處理時的第2基板輸 送部件周邊的圖。

圖6是從上方觀察本發明的實施方式的處理室內的圖，表示晶片 搬運的流程。

圖7是從上方觀察本發明的實施方式的處理室內的圖，表示圖6 的晶片搬運的流程的延續。

圖8是比較例的基板處理裝置的整體結構圖，是從上方觀察的示 意圖。

圖9是從上方觀察比較例的基板處理裝置的處理室內的圖，表示 晶片搬運的流程。

圖10表示本發明的實施方式的基板處理裝置10的配置例。

圖11表示本發明的第2實施方式的基板處理裝置。

圖12表示本發明的第3實施方式的基板處理裝置。

附圖標記的說明

1?晶片

10?基板處理裝置

12?輸送室

14?裝載鎖定室

16?處理室

30?第1基板輸送部件

35?閘閥

36?第1處理部