[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號： | 200910173141.2 | 申請日： | 2009-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN101673667A | 公開（公告）日： | 2010-03-17 |
| 發明（設計）人： | 高橋哲;野內英博;坂田雅和 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立國際電氣 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 | 代理人： | 陳 偉;于英慧 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置，其特征在于，
具有：輸送室；處理基板的處理室；控制部，
所述輸送室具有將至少2張基板從該輸送室向所述處理室輸送 的第1基板輸送部件，
所述處理室具有：與所述輸送室鄰接并具有內置有加熱器的第1 基板載置臺的第1處理部；與所述第1處理部中的所述輸送室一側不 同側鄰接并具有內置有加熱器的第2基板載置臺的第2處理部；在所 述第1處理部和所述第2處理部之間輸送基板的第2基板輸送部件，
所述控制部相對地控制所述第1基板輸送部件、所述第2基板輸 送部件、所述第1基板載置臺或所述第2基板載置臺，從而使所述第1 基板輸送部件與內置在所述第1基板載置臺的加熱器之間的距離、和 所述第2基板輸送部件與內置在所述第2基板載置臺的加熱器之間的 距離相同。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述處理室至少設置兩個，并分別設置在所述輸送室的一面。
3.如權利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述第1處理部和所述第2處理部中，各處理部連通，
所述第2基板輸送部件具有軸部、載置基板的圓弧部、從所述圓 弧部切口的切口部，
所述軸部構成為沿垂直方向升降并旋轉，
所述切口部構成為與所述輸送室和所述處理室之間形成的閘閥 相對。
4.如權利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，
所述第1處理部具有使基板水平升降的基板保持部。
5.一種基板處理方法，其特征在于，具有如下步驟：
將至少2張基板向具有第1處理部、第2處理部及載置基板的基板 載置臺的處理室供給的步驟；
將所述至少2張基板分別載置在所述第1處理部的第1基板輸送 機構及所述第2處理部的第2基板輸送機構上的步驟；
將基板載置在所述基板載置臺時，相對地控制所述第1基板輸送 機構和所述第2基板輸送機構、或所述基板載置臺的步驟，以使所述 第1基板輸送機構和內置在所述基板載置臺的加熱器之間的距離、與 所述第2基板輸送機構和內置在所述基板載置臺的加熱器之間的距 離相同。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
