[發明專利]單元晶體管、集成電路及顯示系統

有效

• 申請號: 200910171923.2
• 申請日: 2009-09-22
• 公開（公告）號: CN101714553A
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 高榮正;李艷軍
• 申請（專利權）人: 凹凸電子(武漢)有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;G02F1/1368
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;李德山

1.一種單元晶體管，其特征在于，所述單元晶體管包括：

N型深摻雜掩埋層；

形成在所述N型深摻雜掩埋層上的與所述N型深摻雜掩埋層相連的N阱和P阱，所述N阱和P阱在所述N型深摻雜掩埋層形成之后形成，且所述N阱與P阱毗鄰；

形成在所述N阱中的預定深度處的與所述N阱相連的第一N型深摻雜層，所述第一N型深摻雜層在所述N阱形成之后形成；以及

形成在所述P阱中的多個漏極，所述多個漏極通過所述N阱和所述第一N型深摻雜層與所述N型深摻雜掩埋層相連。

2.根據權利要求1所述的單元晶體管，其特征在于，所述多個漏極中的每個漏極包括N型坡度層和被所述N型坡度層包圍的第二N型深摻雜層。

3.根據權利要求2所述的單元晶體管，其特征在于，所述第二N型深摻雜層的深度小于所述N型坡度層的深度，所述第二N型深摻雜層的濃度大于所述N型坡度層的濃度。

4.根據權利要求2所述的單元晶體管，其特征在于，所述N型坡度層的注入量大約在1.0E12atoms/cm²到9.0E13atoms/cm²之間。

5.根據權利要求1所述的單元晶體管，其特征在于，還包括：

多個源極，所述多個源極連接在一起。

6.根據權利要求1所述的單元晶體管，其特征在于，還包括：

多個多晶柵，所述多個多晶柵連接在一起。

7.根據權利要求6所述的單元晶體管，其特征在于，還包括位于每個多晶柵和每個漏極之間的場氧化層。

8.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路包括：

包含單元晶體管的開關，所述單元晶體管包括：

N型深摻雜掩埋層；

形成在所述N型深摻雜掩埋層上的與所述N型深摻雜掩埋層相連的N阱和P阱，所述N阱和P阱在所述N型深摻雜掩埋層形成之后形成，且所述N阱與P阱毗鄰；

形成在所述N阱中的預定深度處的與所述N阱相連的第一N型深摻雜層，所述第一N型深摻雜層在所述N阱形成之后形成；以及

形成在所述P阱中的多個漏極，所述多個漏極通過所述N阱和所述第一N型深摻雜層與所述N型深摻雜掩埋層相連；以及

與所述開關相連且控制所述開關的控制器電路。

9.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述多個漏極中的每個漏極包括N型坡度層和被所述N型坡度層包圍的第二N型深摻雜層。

10.根據權利要求9所述的集成電路，其特征在于，所述第二N型深摻雜層的深度小于所述N型坡度層的深度，所述第二N型深摻雜層的濃度大于所述N型坡度層的濃度。

11.根據權利要求9所述的集成電路，其特征在于，所述N型坡度層的注入量大約在1.0E12atoms/cm²到9.0E13atoms/cm²之間。

12.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述單元晶體管還包括：

多個源極，所述多個源極連接在一起。

13.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述單元晶體管還包括：

多個多晶柵，所述多個多晶柵連接在一起。

14.根據權利要求13所述的集成電路，其特征在于，還包括位于每個多晶柵和每個漏極之間的場氧化層。

15.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述單元晶體管包括雙擴散耗盡型金屬氧化物半導體晶體管。

16.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述控制器電路包括多個橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管。