[發(fā)明專利]制造露出元件的功能部的半導(dǎo)體器件的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910171773.5 | 申請(qǐng)日: | 2009-09-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101667546A | 公開(公告)日: | 2010-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 內(nèi)田建次;平澤宏希 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 孫志湧;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 露出 元件 功能 半導(dǎo)體器件 方法 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)基于日本專利申請(qǐng)No.2008-224284,該專利申請(qǐng)的內(nèi)容通 過引用結(jié)合于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法,在該半導(dǎo)體器件中,元 件的功能部被露出。
背景技術(shù)
近年來,隨著技術(shù)的發(fā)展,元件的功能部露出的半導(dǎo)體器件已進(jìn) 入實(shí)際使用。在將光信號(hào)從半導(dǎo)體器件的外部直接輸入到將光信號(hào)轉(zhuǎn) 換成電信號(hào)的光學(xué)元件的受光部的該半導(dǎo)體器件中,存在對(duì)于如下結(jié) 構(gòu)的需求:其能夠防止光信號(hào)的衰減,通過使用黑色樹脂能夠改善半 導(dǎo)體器件的防潮性能,并且在無鉛安裝期間能夠獲得合適的回流條件。
特別地,在將藍(lán)光用作光信號(hào)的光記錄技術(shù)中,用于將光信號(hào)轉(zhuǎn) 換成電信號(hào)的受光器件的環(huán)氧樹脂由于藍(lán)光而變質(zhì),并且該環(huán)氧樹脂 相對(duì)于藍(lán)光的透光特性下降。結(jié)果,受光器件變得不可用。因此,需 要從光路去除環(huán)氧樹脂以使功能部露出的半導(dǎo)體器件。
期望的是,將具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件應(yīng)用于MEMS(微機(jī)電 系統(tǒng));在其中將活動(dòng)部設(shè)置在諸如機(jī)電消聲器的功能元件中,并且 所述活動(dòng)部不用樹脂密封的設(shè)備;以及用于攝像機(jī)的固態(tài)成像元件。
圖7A至7F是示出制造成像半導(dǎo)體器件的方法的橫截面圖,在該 成像半導(dǎo)體器件中,從光路去除環(huán)氧樹脂以使功能部露出,其公開于 日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(JP-A)No.2006-237051中。圖8A至8G是示出制 造成像半導(dǎo)體器件的方法的橫截面圖,在該成像半導(dǎo)體器件中,從光 路去除環(huán)氧樹脂以使功能部露出,其公開于JP-A?No.2003-332542中。
在JP-A?No.2006-237051中,如圖7A所示,將光致抗蝕劑涂覆到 其上設(shè)置有多個(gè)半導(dǎo)體元件5的半導(dǎo)體晶片1的功能部上,并在該抗 蝕劑上進(jìn)行曝光、顯影、以及蝕刻,以形成抗蝕劑保護(hù)膜2。然后,進(jìn) 行切割以獲得半導(dǎo)體元件5。然后,如圖7B和7C所示,將其上均形 成有抗蝕劑保護(hù)膜2的半導(dǎo)體元件5安裝在電路板6上,并通過布線7 使半導(dǎo)體元件5與電路板6彼此電連接。然后,如圖7D所示,進(jìn)行樹 脂密封,以用樹脂8覆蓋半導(dǎo)體元件5、布線7、以及保護(hù)膜2。同樣 用樹脂8覆蓋保護(hù)膜2的上表面。
然后,如圖7E所示,對(duì)樹脂進(jìn)行拋光,以使保護(hù)膜2露出。通過 蝕刻去除露出的保護(hù)膜2,以使半導(dǎo)體元件5的功能部露出。
然后,如圖7F所示,提供覆蓋玻璃(覆蓋帶)11,以便保護(hù)功能 部,并且單獨(dú)地切割半導(dǎo)體元件。這樣,完成成像半導(dǎo)體器件。
在JP-A?No.2003-332542中,如圖8A所示,在期望的位置處,將 固態(tài)成像元件10單獨(dú)地結(jié)合至基部30。然后,如圖8B所示,單獨(dú)形 成柔性的保護(hù)膜36,以覆蓋固態(tài)成像元件10露出表面的受光區(qū)域。
然后,如圖8C所示,通過金屬線40將基部30電連接至固態(tài)成像 元件10。然后,如圖8D所示,將具有平面擠壓表面的模具與基部30 一起用于擠壓其上形成有保護(hù)膜36的固態(tài)成像元件10,以利用密封材 料42填充由模具的擠壓表面、保護(hù)膜36、相鄰的固態(tài)成像元件10包 圍的間隙部。
然后,如圖8E所示,在樹脂模制之后,去除保護(hù)膜36。然后, 如圖8F所示,以在其間夾持有密封材料42的情況下將透光板46粘附 于基部30的整個(gè)表面,以便覆蓋每個(gè)固態(tài)成像元件10的露出的受光 表面。然后,沿其間的切割線切割相鄰的固態(tài)成像元件10,以獲得單 獨(dú)的半導(dǎo)體器件。
然而,當(dāng)使用在JP-A?No.2006-237051中公開的方法時(shí),出現(xiàn)了一 些問題。
以下問題全部由在去除抗蝕劑保護(hù)膜2之前對(duì)覆蓋保護(hù)膜2的上 表面的樹脂8進(jìn)行拋光的處理所引起的。保護(hù)膜2的上表面因以下原 因需要用樹脂8覆蓋。當(dāng)通過涂敷法,利用具有厚度為0.1mm或更厚 的光致抗蝕劑制成保護(hù)膜2時(shí),在膜的厚度上存在變化,并且在樹脂 密封期間難于用密封模具均勻地夾緊保護(hù)膜2。因此,需要用樹脂8覆 蓋保護(hù)膜2的上表面。問題說明如下。
第一個(gè)問題是需要對(duì)樹脂8進(jìn)行拋光的處理,這導(dǎo)致生產(chǎn)率降低。
拋光處理的增加導(dǎo)致制造處理數(shù)量的增加和制造時(shí)間的增加。尤 其地,拋光處理需要將待拋光的半導(dǎo)體器件安裝至支承構(gòu)件的準(zhǔn)備處 理,以及從支承構(gòu)件去除拋光了的薄半導(dǎo)體器件的后處理。因此,增 加了除拋光處理以外的處理。結(jié)果,制造時(shí)間極大地受處理增加的影 響。
第二個(gè)問題是半導(dǎo)體器件的質(zhì)量劣化。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于恩益禧電子股份有限公司,未經(jīng)恩益禧電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910171773.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法





