[發明專利]制造露出元件的功能部的半導體器件的方法

無效

• 申請號: 200910171773.5
• 申請日: 2009-09-02
• 公開（公告）號: CN101667546A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 內田建次;平澤宏希
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L31/18
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在晶片上形成第一樹脂層，所述晶片具有設置在其中的功能部；

將所述第一樹脂層圖案化成預定的形狀，并在所述功能部上或在 所述功能部周圍形成第一樹脂部；

將所述晶片分成元件；

將所述元件安裝在基部的上表面上；

使密封模具的模制表面與所述第一樹脂部的上表面和所述基部的 下表面形成擠壓接觸，并且在由所述密封模具的所述模制表面包圍的 間隙部當中，將第二樹脂注入在所述第一樹脂部周圍的所述間隙部， 以在所述第一樹脂部周圍形成第二樹脂層；以及

去除所述第一樹脂部，以使所述元件的一部分暴露于外部，

其中，在形成所述第二樹脂層的所述步驟中，使所述第一樹脂部 的上表面與所述第二樹脂層的上表面齊平，或者使所述第一樹脂部的 上表面比所述第二樹脂層的上表面高出0mm以上且0.05mm以下的范 圍。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，使所述元件的一部分暴露于外部的所述步驟包括將所述第 一樹脂部浸入去除劑，以利用粘合帶去除所述第一樹脂部。

3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，用于所述第一樹脂部的第一樹脂為光固化型樹脂、熱固型 樹脂、或光熱固型樹脂中的任何一種。

4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，用于所述第一樹脂部的固化的第一樹脂的彈性模量為在 20℃的溫度下等于或小于6GPa，以及在200℃的溫度下等于或小于 3GPa。

5.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，用于所述第一樹脂部的固化的第一樹脂的彈性模量為在 20℃的溫度下等于或大于1GPa，以及在200℃的溫度下等于或大于 10MPa。

6.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一樹脂部的厚度等于或大于0.1mm。

7.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一樹脂部的厚度等于或小于0.15mm。

8.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，利用光固化型樹脂、熱固型樹脂或光熱固型樹脂制成所述 第一樹脂層。

9.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，形成所述第一樹脂部的所述步驟包括：

在所述晶片上將所述第一樹脂層形成為膜；以及

將膜狀的所述第一樹脂層圖案化成預定的形狀，以在所述功能部 上或在所述功能部周圍形成第一樹脂膜。

10.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括：

在去除所述第一樹脂部的所述步驟之后，將所述基部分成元件。

11.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，在形成所述第二樹脂層的所述步驟中，所述密封模具的所 述模制表面與所述基部的下表面以在其間夾持膜的情況下實現擠壓接 觸。

12.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一樹脂部被形成為以使得至少覆蓋整個的所述功能 部，或者所述第一樹脂部被形成為框架，所述功能部的一部分或整個 的所述功能部通過所述框架露出。

13.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一樹脂部為凹面構件，以及

所述凹面構件的凹面部的厚度在局部較薄。