[發明專利]相移光刻掩模的設計和布局

有效

• 申請號: 200910171747.2
• 申請日: 2002-06-07
• 公開（公告）號: CN101726988A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 米歇爾·L·科特;克里斯托夫·皮拉特
• 申請（專利權）人: 新思公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李芳華

1.一種用于制造具有材料層的集成電路的方法，所述層由布局描述，其 中使用相移來限定材料層，所述方法包括：

識別要使用相移限定的在布局中的多個圖形，多個圖形的每個包括多個 邊；

將多個移相器形狀布置在多個圖形的邊上，其中多個圖形包括具有第一 邊和第二邊的第一圖形，所述第一邊與第二邊接合，其中多個移相器形狀包 括布置在第一邊上的第一移相器形狀和布置在第二邊上的第二移相器形狀， 第一移相器形狀和第二移相器形狀分開具有足夠的大小來允許切口的最小的 距離；

根據相位相關性和建立多個移相器的成本向多個移相器形狀分配相位； 并

精制該多個移相器。

2.按照權利要求1的方法，其中布置多個移相器形狀還包括：限定最大 的移相器區域，所述最大移相器區域圍繞布局中的多個圖形，所述最大移相 器區域對應于在要布置多個移相器形狀的布局上的位置。

3.按照權利要求1的方法，其中所述分配還包括：使用多個用于說明接 受特定的相位分配的相對質量的成本函數，所述多個成本函數包括下列的一 個或多個：內角成本函數、外角成本函數、三邊成本函數、小移相器區域成 本函數、相位沖突成本函數，和多層成本函數。

4.按照權利要求1的方法，其中所述精制還包括下列的一個或多個：

合并在多個移相器中具有相同相位的相鄰的移相器；

通過將角方形化而擴展在多個移相器中的移相器；

通過以主要或次要相位填充在相鄰的移相器之間的空間而擴展在多個移 相器中的移相器；和

調整移相器形狀以符合設計規則檢查。

5.按照權利要求1的方法，還包括：使用多個圖形和多個移相器限定多 個修整形狀。

6.按照權利要求5的方法，還包括：

用多個移相器產生第一掩模數據文件；和

使用多個修整形狀產生第二掩模數據文件。

7.按照權利要求1的方法，其中所述布置多個移相器形狀還包括：使用 多個移相器形狀的初始移相器形狀，所述初始移相器形狀包括疊加在矩形頂 部的梯形，其中所述矩形部分與圖形邊緣直接鄰接。

8.按照權利要求1的方法，其中使用相移限定材料層還包括：用多個移 相器限定該層的非存儲器部分的至少80％。

9.按照權利要求1的方法，其中使用相移限定材料層還包括：用多個移 相器限定該布局的至少90％。

10.按照權利要求1的方法，其中使用相移限定材料層還包括：用多個 移相器限定該布局的關鍵路徑中的所有圖形。

11.按照權利要求1的方法，其中使用相移限定材料層還包括：用多個 移相器限定在該布局中的所有圖形，除了由于相位沖突而導致不相移的那些 圖形之外。

12.按照權利要求1的方法，其中使用相移限定材料層還包括：用多個 移相器限定除了測試結構之外的該布局中的全部內容。

13.按照權利要求1的方法，其中使用相移限定材料層還包括：用多個 移相器限定除了偽結構之外的該布局中的全部內容。