[發(fā)明專利]一種像素結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910171161.6 | 申請日: | 2007-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN101655626A | 公開(公告)日: | 2010-02-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 簡耀黌;王智杰;陳司芬;鄭戎杰;陳麗珊 | 申請(專利權(quán))人: | 中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/133 | 分類號: | G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 臺灣省臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 像素 結(jié)構(gòu) | ||
本申請是申請?zhí)枮椤?00710106333.2”,申請日為2007年05月15日,發(fā) 明名稱為“光學補償彎曲模式液晶顯示器的像素與其驅(qū)動方法”的中國專利申 請的分案申請
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種光學補償彎曲模式液晶顯示器(Optically?Compensated? Bend?Mode?Liquid?Crystal?Display,OCB?LCD),且特別是關(guān)于一種光學補償彎 曲模式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
為了配合現(xiàn)代生活模式,視頻或影像裝置的體積日漸趨于輕薄。傳統(tǒng)的陰 極射線顯示器(CRT),雖然仍有其優(yōu)點,但是由于內(nèi)部電子腔的結(jié)構(gòu),使得顯 示器體積龐大而占空間,且顯示時仍有輻射線傷眼等問題。因此,配合光電技 術(shù)與半導體制造技術(shù)所發(fā)展的平面式顯示器(Flat?Panel?Display),例如液晶顯示 器(LCD)、有機發(fā)光顯示器(OLED)或是等離子顯示器(Plasma?Display?Panel, PDP),已逐漸成為顯示器產(chǎn)品的主流。
承上所述,在液晶顯示器領(lǐng)域里,OCB液晶顯示器具有快速響應及廣視角 等優(yōu)點,在大尺寸液晶顯示器上具有極大的優(yōu)勢與發(fā)展?jié)摿?。然而薄膜晶體管 (Thin-Film?Transistor,TFT)漏電流的問題是各種液晶顯示器所遭遇到的共同瓶 頸,其中以OCB液晶顯示器特別顯著。請參考圖1,圖1為根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的 OCB液晶的反應狀態(tài)圖,OCB液晶顯示器在工作上具有兩種狀態(tài),當液晶跨 壓VPC(Vpixel-Vcom)在臨界電壓VCR(Critical?Voltage)之下時,OCB液晶處 于自由能(free?energy)較低的伸展態(tài)(Splay?state),反之則處于彎曲態(tài)(Bend? state)。具伸展態(tài)的OCB液晶,其光穿透度無法控制。因此,為了得到較佳品 質(zhì)的顯示畫面,OCB液晶通常被運用在彎曲態(tài)區(qū)域,如此,當顯示畫面由白畫 面轉(zhuǎn)換為黑畫面時,OCB液晶展現(xiàn)出快速響應的優(yōu)勢。
當OCB液晶處于彎曲態(tài)時,唯一需要注意的就是此液晶的白態(tài)電壓 VPCW(即白畫面時的液晶跨壓)必須高于臨界電壓VCR,否則OCB液晶將從具 高自由能的彎曲態(tài),掉回具低自由能的伸展態(tài)。但是受到來自TFT或液晶電容 的漏電流影響,可能導致面板部份區(qū)域的白態(tài)電壓VPCW值低于臨界電壓VCR 值,因此,位于此區(qū)域的OCB液晶將轉(zhuǎn)回伸展態(tài),這時畫面上便會出現(xiàn)異常 的顯示畫面。為了解決上述問題,通常會將白態(tài)電壓VPCW拉高而使OCB液 晶維持在具高自由能的彎曲態(tài)。上述做法,雖然可以預防異常的畫面出現(xiàn),卻 也犧牲了液晶在白畫面時的穿透度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供一種像素結(jié)構(gòu),可應用于OCB液晶顯示器上, 配合本發(fā)明的驅(qū)動方法可得到具彎曲態(tài)的低白態(tài)電壓,以增加白畫面時的透光 度。
為達到上述目的,本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu),包括一基底、一隔離層、一 保護層、一像素電極、一共用電壓連接線及一選擇線。隔離層形成于基底之上, 隔離層之上為一保護層,像素電極在保護層之上。共用電壓連接線位于基底與 隔離層之間,而選擇線也在基底與隔離層之間。共用電壓連接線與像素電極形 成一儲存電容,選擇線與像素電極形成一耦合電容,像素結(jié)構(gòu)具有一晶體管, 晶體管的柵極耦接一掃描線,晶體管的第一端耦接一數(shù)據(jù)線,晶體管的第二端 耦接像素電極。
本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu),包括一基底、一隔離層、一保護層、一像素 電極、一共用電壓連接線及一選擇線。隔離層形成于基底之上,隔離層之上為 一保護層,像素電極在保護層之上。共用電壓連接線位于基底與隔離層之間, 而選擇線則位于隔離層與保護層之間。共用電壓連接線與像素電極形成一儲存 電容,選擇線與像素電極形成一耦合電容,像素結(jié)構(gòu)具有一晶體管,晶體管的 柵極耦接一掃描線,晶體管的第一端耦接一數(shù)據(jù)線,晶體管的第二端耦接像素 電極。
依照本發(fā)明的上述的像素結(jié)構(gòu),因為儲存電容與液晶電容從耦合電容中得 到一個脈沖信號,使得像素跨壓的均方根高于臨界電壓,使白態(tài)電壓可以更接 近臨界電壓,因而提升了液晶在白畫面時的光穿透度。
本發(fā)明因采用耦合電容與液晶電容并聯(lián),使耦合電容提供一過驅(qū)動電壓給 液晶電容,因此具有下列優(yōu)點:
1.即使液晶的最低跨壓不足,此液晶仍然可以維持在彎曲態(tài),因而能夠正 常顯示畫面。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學;光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
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