[發明專利]一種像素結構有效
| 申請號： | 200910171161.6 | 申請日： | 2007-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101655626A | 公開（公告）日： | 2010-02-24 |
| 發明（設計）人： | 簡耀黌;王智杰;陳司芬;鄭戎杰;陳麗珊 | 申請（專利權）人： | 中華映管股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/133 | 分類號： | G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 駱希聰 |
| 地址： | 臺灣省臺北*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 像素 結構 | ||
1.一種像素結構，包括：
一基底；
一隔離層，形成于該基底之上；
一保護層，形成于該隔離層之上；
一像素電極，形成于該保護層之上；
一共用電壓連接線，形成于該基底與該隔離層之間；以及
一選擇線，形成于該基底與該隔離層之間；
其中，該共用電壓連接線與該像素電極形成一儲存電容，該選擇線與該像 素電極形成一耦合電容，該像素結構具有一晶體管，該晶體管的柵極耦接一掃 描線，該晶體管的第一端耦接一數據線，該晶體管的第二端耦接該像素電極。
2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該選擇線由第一金屬層所 構成。
3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該共用電壓連接線由第一 金屬層所構成。
4.一種像素結構，包括：
一基底；
一隔離層，形成于該基底之上；
一保護層，形成于該隔離層之上；
一像素電極，形成于該保護層之上；
一共用電壓連接線，形成于該基底與該隔離層之間；以及
一選擇線，形成于該隔離層與該保護層之間；
其中，該共用電壓連接線與該像素電極形成一儲存電容，該選擇線與該像 素電極形成一耦合電容，該像素結構具有一晶體管，該晶體管的柵極耦接一掃 描線，該晶體管的第一端耦接一數據線，該晶體管的第二端耦接該像素電極。
5.如權利要求4所述的像素結構，其特征在于，該共用電壓連接線由第一 金屬層所構成。
6.如權利要求4所述的像素結構，其特征在于，該選擇線由第二金屬層所 構成。
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