[發(fā)明專利]多晶硅浮置柵極及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910169971.8
• 申請日: 2003-03-28
• 公開（公告）號: CN101645397A
• 公開（公告）日: 2010-02-10
• 發(fā)明（設計）人: 駱統(tǒng)
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285;H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種制造一浮置柵極存儲單元時，利用一沉積程序而形成一多晶硅浮置柵極的方法，包括以下步驟：

選擇一反應氣體，和選擇一第二氣體，并應用于該沉積程序期間以形成該浮置柵極，該反應氣體為SiX，該第二氣體為Y；

令X至少包括H₄，H₂Cl₂，HCl₃，D₄，D₂Cl₂，D₃Cl其中之一，Y至少包括D₂，H₂，D₃其中之一，以實施該選擇步驟；及

利用該反應氣體和該第二氣體，形成一具微晶粒結構的多晶硅浮置柵極。

2.如權利要求1所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，該形成步驟包括：

沉積一無晶形硅以作為該浮置柵極；和

對該無晶形硅進行處理，以形成一所需的微晶粒結構。

3.如權利要求2所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，經(jīng)處理步驟后的該微晶粒的多晶硅浮置柵極，具有一粒徑尺寸范圍為200～之間。

4.如權利要求1所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，經(jīng)形成步驟后的該微晶粒的多晶硅浮置柵極，具有一粒徑尺寸范圍為50～之間。

5.如權利要求1所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，X和Y至少有一者包含氘。

6.一種如權利要求1所述的方法所制的浮置柵極存儲單元。

7.一種制造一浮置柵極存儲單元時，利用一沉積程序而形成一多晶硅浮置柵極的方法，包括以下步驟：

選擇一反應氣體，和選擇一第二氣體，并應用于該沉積程序期間以形成該浮置柵極，該反應氣體為Si₂X，該第二氣體為Y；

令X至少包括H₆，H₄Cl₂，H₂Cl₄，D₆，D₄Cl₂，D₂Cl₄其中之一，Y至少包括D₂，H₂，D₃其中之一，以實施該選擇步驟；及

利用該反應氣體和該第二氣體，形成一具微晶粒結構的多晶硅浮置柵極。

8.如權利要求7所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，該形成步驟包括：

沉積一無晶形硅以作為該浮置柵極；和

對該無晶形硅進行處理，以形成一所需的微晶粒結構。

9.如權利要求8所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，經(jīng)處理步驟后的該微晶粒的多晶硅浮置柵極，具有一粒徑尺寸范圍為200～之間。

10.如權利要求7所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，經(jīng)形成步驟后的該微晶粒的多晶硅浮置柵極，具有一粒徑尺寸范圍為50～之間。

11.如權利要求7所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，X和Y至少有一者包含氘。

12.一種如權利要求7所述的方法所制的浮置柵極存儲單元。

13.一種制造一浮置柵極存儲單元時，利用一沉積程序而形成一多晶硅浮置柵極的方法，其中，該浮置柵極存儲單元包括一基板，該基板有一漏極和一源極且以一通道隔絕；一浮置柵極，位于該通道上方并以一第一絕緣層隔離；和一控制柵極，位于該浮置柵極上方并以一第二絕緣層隔離，該方法包括以下步驟：

選定一沉積環(huán)境，包括：

選擇一反應氣體；

選擇一反應氣體流量；

選擇一沉積壓力；及

選擇一沉積時間；

形成一具微晶粒結構的多晶硅浮置柵極；及

于第一絕緣層上方，形成至少部分為一微晶粒結構的該浮置柵極，且具有一粒徑尺寸范圍在50～之間。

14.如權利要求13所述的形成多晶硅浮置柵極的方法，其中，該粒徑尺寸范圍在50～之間。