[發(fā)明專利]可編程增益MOS放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910169505.X
• 申請(qǐng)日: 2009-09-08
• 公開（公告）號(hào): CN101908863A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李亦斌;曾柏森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03F3/16
• 分類號(hào): H03F3/16;H03G1/00
• 代理公司: 北京萬(wàn)慧達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111
• 代理人: 葛強(qiáng);張一軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種可編程的(programmable)金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)放大器，尤其涉及一種線性dB(linear-to-dB)可編程增益MOS放大器。

背景技術(shù)

請(qǐng)參照?qǐng)D1。圖1顯示的是傳統(tǒng)的線性dB雙極晶體管(Bipolar-Junction-Transistor，BJT)放大器100示意圖。如圖1中所示，線性dB雙極晶體管放大器100包含雙極晶體管B₁、B₂、B₃、B₄，以及電阻器R_B。雙極晶體管B₁的集電極(collector)接收輸入電流信號(hào)I_IN，雙極晶體管B₁的基極(base)接收控制電流信號(hào)I_CON，雙極晶體管B1的射極(emitter)耦接于偏壓源(biasing?source)V_SS(如，接地)。雙極晶體管B₂的集電極耦接于偏壓源V_DD，雙極晶體管B₂的基極接收輸入電流信號(hào)I_IN，雙極晶體管B₂的射極接收控制電流信號(hào)I_CON。雙極晶體管B3的集電極耦接于偏壓源V_DD，雙極晶體管B₃的基極接收輸入電流信號(hào)I_IN，雙極晶體管B₃的射極通過電阻器R_B接收控制電流信號(hào)I_CON。電阻器R_B的第一端耦接于雙極晶體管B₃的射極，電阻器R_B的第二端耦接于雙極晶體管B₄的基極。雙極晶體管B₄的基極耦接于電阻器R_B的第二端，并且接收控制電流信號(hào)I_CON，雙極晶體管B₄的射極耦接于偏壓源V_SS，雙極晶體管B₄的集電極輸出輸出電流信號(hào)I_OUT。

圖1中所有的雙極晶體管均被適當(dāng)?shù)仄茫虼耍须p極晶體管的基-射極(base-emitter)電壓V_BE之間的關(guān)系可描述為以下方程：

V_BE1+V_BE2＝V_BE3+I_CON×R_B+V_BE4...(1)

其中，V_BE1表示雙極晶體管B₁的基-射極電壓，V_BE2代表雙極晶體管B₂的基-射極電壓，V_BE3代表雙極晶體管B₃的基-射極電壓，V_BE4代表雙極晶體管B₄的基-射極電壓。雙極晶體管的基-射極電壓V_BE與從雙極晶體管流出的電流之間的關(guān)系可描述為以下方程：

I_E＝I_Se^VBE/VT...(2)

其中e表示自然指數(shù)，I_E表示從雙極晶體管的射極流出的電流，V_BE表示雙極晶體管的基-射極電壓，V_T表示雙極晶體管的閾值電壓(thresholdvoltage)，I_S表示雙極晶體管的飽和電流，可進(jìn)一步根據(jù)方程(1)與(2)得到以下方程：

V_Tln(I_IN/I_S)+V_Tln(I_CON/I_S)＝V_Tln(I_CON/I_S)+I_CON×R_B+V_Tln(I_OUT/I_S)...(3)

ln(I_OUT/I_IN)＝(-I_CON×R_B)/V_T...(4)