[發明專利]可編程增益MOS放大器

有效

• 申請號: 200910169505.X
• 申請日: 2009-09-08
• 公開（公告）號: CN101908863A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 李亦斌;曾柏森
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H03F3/16
• 分類號: H03F3/16;H03G1/00
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 葛強;張一軍

1.一種可編程增益MOS放大器，用于于負載的第一端以可編程增益輸出放大信號，所述可編程增益MOS放大器包含：

第一增益供應器，用于提供第一預設增益，所述第一增益供應器包含：MOS晶體管，具有對應于所述第一預設增益的第一預設長寬比，所述MOS晶體管包含：控制端，耦接于所述可編程增益MOS放大器的輸入端，其中所述輸入端用于接收輸入信號；偏置端，耦接于偏壓源；以及輸出端；以及

第一增益調諧器，用于調整所述第一預設增益，所述第一增益調諧器包含：

增益使能模塊，包含：MOS晶體管，所述MOS晶體管包含：控制端，用于接收第一控制信號；第一端，耦接于所述負載的第一端；以及第二端，耦接于所述第一增益供應器的所述MOS晶體管的所述輸出端；以及

增益降低模塊，包含：第一MOS晶體管，所述第一MOS晶體管包含：控制端，用于接收第二控制信號；第一端，耦接于所述負載的第二端；以及第二端，耦接于所述第一增益供應器的所述MOS晶體管的所述輸出端；

其中，當所述第一控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益使能模塊的所述MOS晶體管開啟時，所述可編程增益等于G1；當所述第一控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益使能模塊的所述MOS晶體管開啟，而所述第二控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊的所述第一MOS晶體管開啟時，所述可編程增益等于[M1/(M1+M2)]×G1；其中，M1表示所述第一增益調諧器的所述增益使能模塊的所述MOS晶體管的長寬比，M2表示所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊的所述第一MOS晶體管的長寬比，G1表示所述第一預設增益。

2.根據權利要求1所述的可編程增益MOS放大器，其特征在于，M2等于M1。

3.根據權利要求1所述的可編程增益MOS放大器，其特征在于，所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊進一步包含：

第二MOS晶體管，包含：控制端，用于接收第三控制信號；第一端，耦接于所述負載的第二端；以及第二端，耦接于所述第一增益供應器的所述MOS晶體管的所述輸出端；

其中，當所述第一控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益使能模塊的所述MOS晶體管開啟，而所述第三控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊的所述第二MOS晶體管開啟時，所述可編程增益等于[M1/(M1+M3)]×G1；當所述第一控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益使能模塊的所述MOS晶體管開啟，所述第二控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊的所述第一MOS晶體管開啟，而所述第三控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊的所述第二MOS晶體管開啟時，所述可編程增益等于[M1/(M1+M2+M3)]×G1；其中M3表示所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊的所述第二MOS晶體管的長寬比。

4.根據權利要求3所述的可編程增益MOS放大器，其特征在于，M2+M3等于M1。

5.根據權利要求3所述的可編程增益MOS放大器，其特征在于，進一步包含：

第二增益供應器，用于提供第二預設增益，所述第二增益供應器包含：MOS晶體管，具有對應于所述第二預設增益的第二預設長寬比，所述MOS晶體管包含：控制端，耦接于所述可編程增益MOS放大器的所述輸入端，其中所述輸入端用于接收所述輸入信號；偏置端，耦接于所述偏壓源；以及輸出端；

第二增益調諧器，用于調整所述第二預設增益，所述第二增益調諧器包含：增益使能模塊，包含：MOS晶體管，所述MOS晶體管包含：控制端，用于接收第四控制信號；第一端，耦接于所述負載的第一端；以及第二端，耦接于所述第二增益供應器的所述MOS晶體管的所述輸出端；

其中，當所述第一控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益使能模塊的所述MOS晶體管開啟，所述第二控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊的所述第一MOS晶體管開啟，所述第三控制信號將所述第一增益調諧器的所述增益降低模塊的所述第二MOS晶體管開啟，而所述第四控制信號將所述第二增益調諧器的所述增益使能模塊的所述MOS晶體管開啟時，所述可編程增益等于{[M1/(M1+M2+M3)]×G1+G2}；其中G2表示所述第二預設增益。